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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了硫对InN(0001)面氧吸附及硫钝化对InN(0001)面性能的影响.结果表明:硫原子介入后,氧原子在InN(0001)面的吸附能与氧原子单独在InN(0001)面的吸附能相比,各个高对称位的吸附能降低,说明硫原子没有氧原子容易在表面成键;在硫钝化过程中,SInS结构最稳定.