刻蚀深度相关论文
为了改善激光钻孔的几何形貌，提高其刻蚀深度和减小微孔锥度，以304不锈钢为试验材料，采用旋转磁场辅助激光钻孔的加工工艺，研究了在不......
通过相位恢复的原理, 设计了在平行光的照明下单轴双折射晶体做成的衍射相位元件以实现分离并聚焦o偏振光和e偏振光。 讨论了相位......
利用严格耦合波理论(RCWA)从两方面研究了亚波长周期结构光栅的理论计算结果和制作工艺的关系:一是理论设计光栅时,理论结果和制作......
实现了一种新型刻蚀深度实时检测系统，整个系统对温度漂移，气体流动与外界振动等环境因素极不敏感，系统测量误差小于０．９８％，实现了在真空环境......
紫外激光具有波长短、速度快、加工精度高、热影响区小以及无损加工等优点,针对紫外激光加工过程中,不同参数对刻蚀结果产生不同的......
利用磁控溅射法制备底层Mo-TiO2薄膜，用反应离子束刻蚀方法在底层上成功刻蚀了深度不同的沟道，再用磁控溅射法制备顶层TiO2薄膜，......
会议
改变ICP刻蚀系统中的线圈功率和SF6/O2反应气体含量比,通过台阶仪和SEM对SiC材料刻蚀后的深度和侧壁表面情况进行了研究.实验结果......
文章提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法.通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子......
随着光学元件、高速集成电路的发展，改善半导体的制造工艺对未来其应用有着重要的意义。约束刻蚀层技术（ConfinedEtchantLayerTechni......
在微电子和微机电系统设计与制造工艺中，目前普遍采用了高深宽比的深沟槽结构。随着沟槽尺寸不断缩小且沟槽剖面形貌更为复杂，监测沟......
凹槽栅MOS-HEMT器件既能很好地降低器件的栅泄漏电流，又能保证器件良好的栅控能力，对于 GaN基 HEMT器件的研究有重大意义。然而，在凹......
1纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法公开（公告）号：CN102610715A摘要：一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括......
为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现：由......
提出了基于电子束的LIGA(Líthographíe,Galvanoformung,Abformung)技术新概念.根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀......
基于楔形光学平板的等厚干涉原理,提出了一种透射衍射光学元件扫描离子束刻蚀深度的在线检测方法,用一块与被刻蚀光学元件材料相同......
光刻胶浮雕全息图通常是作为复制模压全息图的母版，在复制过程中所转移的是全沟纹信息，所复制的全息图的衍射效率决定于沟纹的深度，因......
基于单缝衍射理论 , 对位相光栅基片的上表面反射方向的衍射干涉场的分布规律进行了研究 , 提出了基于此分布规律对位相光栅的刻蚀......
采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟．InGaN和A1GaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法......
文章通过进行电化学阳极刻蚀InP实验研究了在电化学刻蚀过程中电流密度发生变化时对刻蚀速率的影响并分析了其原因,实验结果表明：在......
针对多晶太阳能电池片生产工艺中的扩散炉管间方阻均匀性问题,主要从酸制绒工艺的刻蚀深度及刻蚀反应温度2个方面对问题进行了分析......
总结了大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀技术的研究进展。针对自行研制的KZ-400离子束刻蚀装置,提出了组合石墨束阑结构和多位置分步......
提出并研究了水环境下激光超声复合加工方法,利用该方法对氮化硅陶瓷进行刻蚀加工,加工时对试样施以高频振动。通过实验对比分析激......
太阳能作为一种绿色、清洁的可再生能源被广泛利用。多晶硅太阳能电池就是利用太阳能发电的产品,价格相对低廉。对湿法切边工艺参......
为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系，根据抗蚀剂的灵敏度曲线，采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正......
为了去除硅片表面损伤和脏污,提高单晶电池背钝化效果,采用KOH溶液对单晶原硅片进行了双面抛光。研究了刻蚀深度和金字塔尺寸的关......
工程陶瓷在国防工业、航空航天、电子信息以及日常生活中的应用越来越广泛。传统的机械加工方法很难对常见的工程陶瓷如石英陶瓷、......
用已有的刻蚀发生器与AD250数控抛光设备进行有效地整合，建立了定域数控刻蚀平台，此实验平台在基片装夹和软件编程上都得到了一定提......
太赫兹半导体探测器研究进展;铜铟硒薄膜太阳能电池的几个基础问题研究;声子晶体中第二能带的回波负折射;腔内单原子光学研究的实......
为了防护容易破碎的太阳能电池材料，通常在光伏电池表面增加一个光学防护层。然而，防护层会反射一部分入射光，进而影响太阳能电池的光......
本文实例说明了采用XeF2源的电子束诱发表面反应可在硅上直接描绘图形。Si（100）的电子束激发腐蚀深度与电子剂量成正比;在10kV加速电......
激光刻蚀碳化硅的影响因子较多,仅依靠试验方法研究激光刻蚀过程难以充分和有效了解其过程,数值仿真模拟已成为研究激光刻蚀的一种......
