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采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟．InGaN和A1GaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法得到．分析了激光器单模特性和远场发散角同器件的脊形刻蚀深度和脊形条宽的关系．研究了在脊形上用Si／SiO2膜取代传统SiO2介质膜这种新的脊形设计对激光器结构参数的影响．模拟结果发现，脊形条宽越窄，脊形刻蚀深度越深，平行结平面方向的发散角越大，但由此会引起单模特性不稳定，两者之间有一个折衷值．通过引入新的脊形设计，可以降低对器件刻蚀深度精度的要求，同时