【摘 要】
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本文实例说明了采用XeF2源的电子束诱发表面反应可在硅上直接描绘图形。Si（100）的电子束激发腐蚀深度与电子剂量成正比;在10kV加速电压、4×10-3C/cm2剂量和5mTorr气压条件下,
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本文实例说明了采用XeF2源的电子束诱发表面反应可在硅上直接描绘图形。Si（100）的电子束激发腐蚀深度与电子剂量成正比;在10kV加速电压、4×10-3C/cm2剂量和5mTorr气压条件下,电子束激发腐蚀的刻蚀深度为500nm;采用XeF2源的电子激发刻蚀具有极高的、大约每个电子腐蚀100个硅原子的刻蚀率。并己用4×10-3C/cm2剂量加工出0.5μm线宽的图形。
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