根据给定的技术指标,采用区熔(FZ)单晶衬底、非穿通(NPT)耐压层、尺寸缩小的P阱、平面栅、多级场板终端(或场环加场板)等结构的组合,完成了1200V/25A NPT-IGBT样管的研制。利用DESSIS和TSUPREM4工具分别对该器件的特性参数、工艺流程进行了仿真预测和验证。其中,特性参数的仿真包括：多级场板、场环加场板终端结构的击穿电压、元胞结构的阂值电压、饱和压降、开关特性。工艺仿真包括：氧化层的热生长、离子注入、推结、刻蚀等。根据仿真分析的结果确定工艺流程及分片试验。经过一次流片,即成功研制出各项性能参数均符合规定技术指标出的样品。其主要性能参数与国际同类产品接近,并通过了168小时高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)可靠性考核。取得的成果具体如下：1.采用由栅氧、场氧、隔离氧、厚层磷硅玻璃、多晶硅和铝电极构成的多级场板实现了高于1300V的击穿电压；采用场环加场板结构实现了近1400V的耐压；2.实现了先进的小尺寸抗闩锁平面栅方形元胞结构,包括内P+阱、NN-双注入、隔离墙(spacer)、阴极浅槽接触等结构制作；参数优化后实现的阂值电压为4.5V、集电极漏电流小于100nA,达到设计要求；3.基于180μm薄片加工工艺完成了背面p型透明集电极的制作,最终实现的饱和压降和关断能耗典型值分别为2.1V、4.4mJ,折中关系符合仿真预期；4.获得了与国内工艺平台兼容的合理工序和工艺参数。此外,还对仿真与实测结果进行了对比分析,对研制过程中出现的一些异常现象进行了探讨,并提出了解决方法。具体包括：多级场板终端击穿电压仿真结果小于实测值；过高温度进行P阱推结时会造成CE短路；分凝系数设置不恰当对P环硼扩散仿真的影响等。