【摘 要】
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镶嵌在母体基体中的纳米晶会受到明显的应力作用。所以探究纳米晶在生长过程中受到的应力在对其光学和电学性能的影响,对未来的技术应用有重要的意义。在本文中,通过二维有限
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镶嵌在母体基体中的纳米晶会受到明显的应力作用。所以探究纳米晶在生长过程中受到的应力在对其光学和电学性能的影响,对未来的技术应用有重要的意义。在本文中,通过二维有限元计算软件ANSYS对纳米晶镶嵌母体材料的中生长过程中由于热膨胀错位产生的应变分布进行模拟分析。本文通过使用脉冲激光沉积技术,制备出几种不同的纳米晶复合薄膜材料,采用拉曼光谱(Raman)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光谱(PL)和C-V等检测技术对所沉积和退火后的薄膜表面形貌、微观结构和光电特性进行表征和分析。同时,通过大型有限元计算软件ANSYS10.0的模拟结果,我们发现由于母体材料和纳米晶材料的杨氏模量和泊松比不同,在纳米晶的生长过程中,同种纳米晶在不同母体环境中受到的应力大小和不同纳米晶在相同母体环境中所受的应力大小都是有差异的,这就导致了在纳米晶的生长过程中,在其内部或者界面处会形成一些缺陷来缓冲这种应力。纳米晶受到的应力越大,产生的缺陷越多。PL结果和C-V特性也都表明缺陷对纳米晶的光致发光性能和电存储性能都有直接的影响。
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