【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响.结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向
【机 构】
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吉林建筑大学 吉林省建筑电气综合节能重点实验室, 吉林 长春 130118;吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林 长春 130118
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采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响.结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向生长.我们还发现,沉积于玉米蛋白质基底的ZnO薄膜存在不同程度的张应力,当Ar/(Ar+O2)为0.7时,ZnO薄膜内的张应力最小.ZnO近带边发光峰有不同程度的红移,我们认为,这是由于晶界势垒和氧空位Vo造成的.随着溅射功率的增大,薄膜生长速率显著加快,晶粒尺寸增大,ZnO的近带边发光峰位逐渐趋向于理论值.
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