INGaN相关论文
通过氢有效质量理论（HEMT）对In0.65Ga0.35N（高In组分,Eg=1.31eV）太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能......
为了进一步提升蓝光激光器的性能，基于实验样品结构，详细研究了不同结构的p型波导层和有源区的组合对InGaN基边发射蓝光激光器性能的......
通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱（MQWs）发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表......
伴随着5G时代的全面来临和照明显示需求的全方位提升,以氮化物、碳化硅为代表的第三代半导体材料迎来了全盛时代。氮化物半导体材......
Surfactant effects have been one of the most important surface techniques to tunesurface properties and growth mode.Base......
研究表明:InGaN材料系能作为获得高效率太阳能电池的材料,用串联和量子阱结构可以实现高转换效率问题.设计InGaN的p-i-n和量子阱太......
InGaN基激光器由于其广泛的应用受到越来越多的重视，尤其在可见光波段。但是对于InGaN基紫光激光器仍然存在一系列问题需要解决，例如......
InN quantum dots (QDs) have been grown on thick InGaN layers with high In composition (>50%) by plasma-assisted molecula......
本报告进行了具有全光谱和抗辐照特性的InGaN电池与材料生长方面的研究工作,重点研究了吸收带边为2.7eV处作为顶电池的InGaN/GaN量......
我们制作了InGaN基超辐射二极管,其一边为斜腔面,超辐射波长445.3nm,光谱的半高宽7.7nm；并比较了相同腔长(800um)的超辐射二极管和......
Excitonic characteristics of wurtzite InGaN staggered quantum wells for light-emitting diode applica
Recently,Ⅲ-nitride materials systems have attracted much attention as the active region for light emitting diodes(LEDs)......
Green-Yellow Emission Efficiency and Droop Improvement in Modified Triangular InGaN/GaN Quantum Well
A modified triangular quantum well(QW)structure composed of high indium content InGaN wetting layers,graded InGaN layers......
The re-evaluation of the bandgap energy of InN extends the basic absorption wavelength of Ⅲ-Nitride semiconductors from......
传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命，研究不同发光......
Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrat
In this paper,the enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown on patterned sapphire substr......
住友电气工业利用半导体激光器成功实现了波长531nm的绿色激光脉冲振荡。该产品与蓝光光盘使用的蓝紫色半导体激光器一样，活性层采......
We develop a model for the effect of thermal annealing on forming In-N clusters in GaInNP according to thermodynamics.Th......
在我们的实验，在 x Ga1x N 合金样品与的几的 PL 系列在内容 x=0.1， 0.15 和 0.25 作为从 10 K 到 300 K 的温度的功能被测量。塑造 ......
制造出了发光强度为12cd 的超高亮度 InGaN 单量子阱(SQW)结构绿光发光二极管(LED)。这些 InGaN SQW 绿光 LED(12cd)的发光强度大......
在１９９９年５月举行的激光电光学会议（巴尔的摩）的逾期论文中，日本东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员报导了室温下从光泵垂直腔面发射激光......
日本东京大学及德国维尔茨堡大学的研究人员报道了在室温下一个二维的光泵浦的垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）获得了蓝色激光（３９０ｕｒｎ）。这种器件的阵列......
根据现有的材料参数，计算了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密......
采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底......
GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构......
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第10期报道,德国OSRAM OptoSemiconductors公司最近研发了一种波长为515nm下,光输出功率为50mW的......
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量In-GaN:Mg材料特性进行了研究。光学和电......
报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发......
InGaN基发光二极管(LED)芯片大电流密度下效率的下降影响了其在功率型器件方面的应用,因此效率下降的原因和克服的方法成了当前的......
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,......
采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81......
为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源......
介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、......
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出......
随着社会的不断发展,电能的消耗也越来越大。据统计,我国每年照明用电的总消耗约占全部电能消耗的12%-15%,其中传统照明光源的低效......
氮化铟(InN)及其三元合金铟镓氮(InGaN)是性能优良的半导体材料,具有广阔的应用前景。通过调节InGa N组分中In和Ga的比例,可以实现......
随着时代的进步,社会的发展也在稳步前进,良好的社会环境给人们了带来了便捷舒适的生活环境。现代繁华的生活是建立在各种各样的能......
基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱。结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形......
创新型光源InGaN基LED芯片技术研究与展望齐胜利华灿光电股份有限公司Ⅰ.半导体LED市场趋势半导体照明:21世纪第四代照明技术全球L......
会议
We propose a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) method of pre-introducing TMIn during the growth of u-GaN to impr......
本文研究了30周期的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构的阴极荧光特性,揭示了光学性质和结构性质的关系.在InGaN/GaN量子阱层底部, ......
