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对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化（CMP）的原理及工艺进行了分析，对钨抛光浆料的组成成分进行了研究，开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料，并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望。
IC制备中钨插塞CMP技术的研究
【摘 要】
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对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化（CMP）的原理及工艺进行了分析，对钨抛光浆料的组成成分进行了研究，开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料，并对钨抛光浆
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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河北省自然基金资助项目（599041）
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