晶化率相关论文
随着陆地上化石能源消耗殆尽,深海资源的开采成为获取新能源主要途径之一。由于深海海洋环境的复杂性与恶劣性,目前常见金属材料及......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积......
利用固相反应法,分别以微量的水和乙腈作为溶剂,制备了磷钨酸(H7PW12O42)掺杂聚苯胺,并以红外光谱(FTIR),电子扫描显微镜(SEM),X射......
本文采用磁控溅射技术间接/直接制备了晶态硅薄膜。间接法是指对磁控溅射沉积的非晶硅薄膜进行后续退火处理来使其晶化的方法；直接......
为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研......
采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响。研究结果表......
本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长......
本文采用VHF-PECVD技术制备了两个不同硅烷浓度(SC)系列的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了微晶硅薄膜的微结构和表面粗糙度随沉......
简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电......
利用固相反应法制备了 β 萘磺酸掺杂的聚苯胺纳米粒子 ,并以红外光谱 (FTIR) ,扫描电子显微镜(SEM) ,透射电镜 (TEM) ,X 射线衍射......
采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研......
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的......
实验采用glass/a-Si：H/Al结构,在厚100 nm非晶硅膜上蒸镀了不同厚度的铝膜,利用铝诱导晶化法晶化非晶硅薄膜,结果发现经380℃退火后......
利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,......
为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压1......
采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性.结果表明:气压和功率的......
采用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）的方式,以硅烷（SiH4）、氢气（H2）、磷烷（PH3）以及二氧化碳（CO2）等气体为原料,制备具有宽带隙、高电导......
采用微波等离子体增强化学气相沉积技术和磁控溅射技术制备不同晶化率和不同厚度的硅薄膜负极材料,并通过系列测试来研究晶化率和......
应用晶化非晶硅（a—Si）薄膜铝诱导方法，采用X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）、光学显微镜（Optical Microscopy，OM）和原子力显微镜（Atomic F......
本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅（μc-Si∶H）薄膜。利用Raman散射谱,计算了......
通过改变硅烷浓度对微晶硅薄膜材料进行沉积,研究了硅烷浓度与微晶硅晶化率的关系,拉曼光谱的拟合结果表示硅烷浓度越高微晶硅薄膜......
研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。纵向分布Raman光谱分析显示，当硅薄膜厚度减薄时，表面硅层的结晶峰强度明......
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜，研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明：随着......
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术（VHF-PECVD）分别对薄膜沉积参数进行了功率密度-沉积气压和硅烷浓度-气体总流量两因素优化......
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结......
采用PECVD技术，在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜，并利用Raman谱对其微结构作了表征。研究结果表明，硅烷浓度、衬底温度Ts对......
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本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、......
太阳电池的性能参数不仅受到本征层厚度的影响,也受本征活性层晶化率影响。基于AMPS-1D仿真软件,在模拟无缓冲层和最佳缓冲层两种......
采用PECVD技术，通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜．对多晶硅材料光照稳定性的研究表明，晶化率较低的多晶硅稳定性好于普......
以SiH4与H2为气源，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术．在较低的温度（200℃）和较高的压强（230Pa）下，在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率......
对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si：H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微（SEM）分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下，玻璃衬底上沉积......
以SiH4／H2为气源，用PECVD沉积技术，在低温（200℃）、高压下（230Pa）下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用......
研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法,在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情......
对用SiCl4／H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明，多晶硅薄......
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的......
采用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜。利用XRD、拉曼光谱和原子力显微镜（AFM）研究了灯丝与衬底间距（5～10......
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备了掺硼氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率......
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅（nc-Si：H）薄膜和掺磷纳晶硅（nc-Si（P）：H）薄膜。通过拉曼散......
采用等离子体化学气相沉积（RF—PECVD）技术，在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜，并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构......
本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂（p-Si：H）膜。用拉曼（Raman）光谱测试了p-Si：H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜（SEM）......
采用常规射频等离子体增强化学气相沉积方法,以高氢稀释的Si H4为源气体和以PH3为掺杂剂,制备了磷掺杂的氢化纳米晶硅薄膜。结果表......
氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜是一种纳米颗粒镶嵌在非晶硅网络中的混合相结构材料，具备优异的光电性能，是第二代和第三代太阳电池的重......
利用固相聚合反应法制备了盐酸掺杂聚苯胺,并以红外光谱(FT IR),电子扫描显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、循环伏安(cyclicvoltametr......
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型......
