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研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。纵向分布Raman光谱分析显示，当硅薄膜厚度减薄时，表面硅层的结晶峰强度明显减弱，峰位有微弱的蓝移。最薄的样品显示为非晶态结构。当Raman激光聚焦斑点向64．5nm厚的薄膜样品深层面聚焦取样时，微晶硅薄膜的结晶性先由表层向下逐渐变好，最大晶粒尺寸达3．318nm，最高晶化率达47．6％。最后，当激光聚焦斑点到达薄膜与玻璃衬底的界面孵化层时，硅薄膜显非晶态。