【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初
【机 构】
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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南工业大学
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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化。退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加。其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高。
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