二氧化铪相关论文
通过X射线光电子能谱对沉积在Si基底上的High-K薄膜的热稳定性进行了研究。我们主要研究了铪为主要成分的高介电常数物质。我们分......
本文研究了以HfAlO为栅介质的p-GaAs衬底金属氧化物半导体电容的电容-电压(C-V)特性.通过研究了2种组分的HfAlO栅介质(Hf0.5Al0.5O......
本文采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元......
HfOx是一种具有宽带隙和高介电常数的薄膜材料，近年来在微电子领域引起极度的关注，基于HfOx的阻变存储器件具有转变电压低、数据......
随着半导体技术的不断发展,晶体管的尺寸不断缩小,在不久的将来将会达到极限,传统的浮栅型存储器将会遭遇巨大的瓶颈.阻变存储器具......
复合材料由至少为50%(体积)的 Si_3N_4(a)和10～50%(体积)的三元氧化物(b)的混合物配制而成;(b)含有10～30%(分子)TiO_2、10～30%(分子)......
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能......
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积......
研究了一种新型非对称栅隧穿场效应晶体管(AG-TFET),新型结构结合了隧穿场效应晶体管陡峭的亚阈值摆幅与无结器件较大的开态电流的......
蛋白质的磷酸化是一种重要且可逆的翻译后修饰过程,它参与和调控生物体内的许多生命活动。但异常的磷酸化也会导致人类疾病的发生......
随着CMOS特征尺寸不断减小,已经接近物理极限,传统Si基CMOS器件开始出现诸如漏致势垒降低效应、漏源穿通效应、短沟道效应、迁移率......
纳米科学与技术这一学科领域的不断发展与进步极大推动了当今社会的发展,纳米科技已经涉及到我们生活的方方面面,如:智能手机、便......
铁电材料的极化翻转特性是铁电存储器实现“0,1”信息读写的物理基础,因此极化翻转的稳定性直接决定器件的服役可靠性.在交变电场......
1 碳化冶炼原理 碳是一种很活泼的还原剂,在2000℃的高温下,碳与各种金属的亲合力大于这些金属与氧的亲合力。碳化锆的冶炼就是应......
本文制备了纳米级的Hf/Hf O2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构。系统地对......
本刊讯日前,美国科学家研制出一种新的多层涂层,几乎能够反射太阳光带来的全部能量,并能吸收来自建筑物内部的热量,在不使周围空气......
研究了H_fO_2质点对铌基体的高温晶粒长大和机械性能的影响。Nb—H_fO_2合金是在100吨液压机上以12吨/厘米~2的压力用钢模压制的......
日本佳能公司最近研制成功一种金刚石光发射装置,能发出蓝光或紫光。这种装置由以下各层组成(从底部到顶部):(1)n~+硅茎片,相当于......
介绍了一种基于原子层淀积(ALD)方法生长的高密度二氧化铪金属-绝缘体-金属(MIM)电容,获得的电容密度达到了9.76fF/μm2,漏电......
本书是中国物理学会2008年秋季学术会议论文摘要集（上卷），本次大会主要讨论了光子对撞机上双重重子的产生、超对称场的圈正规化以及等......
二氧化铪薄膜具有较高的介电常数和较大的禁带宽度，在紫外-可见光-近红外光谱范围内有着良好的透过率，因此在光学器件及半导体器件中......
将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器具有非易失性、读写速度快、低功耗以及抗辐射等其它类型的存储......
本文用量子化学的密度泛函方法对高介电常数栅介质的原子层淀积初始反应机制作了详细的研究。研究的高介电常数介质有Al2O3、HfO2......
VO2是一种典型的热致相变化合物,相变温度为68℃,随温度的升高,发生从高温金属相到低温半导体相的转变,而且它的物理性能也随之发......
二氧化铪是一种重要的宽禁带过渡金属氧化物,具有高的熔点、高的介电常数以及优良的化学稳定性等诸多特点,因此近年来引起了许多研......
为解释Coey等人在实验中发现的HfO2的磁性的问题，本文对HfO2体材料和(110)面薄膜材料中的原子缺陷(氧空位缺陷)和电子缺陷(带正电荷......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
美国斯坦福大学研究人员26日在《自然》杂志上介绍了一种新的节能材料,它可让建筑物在炎炎夏日无需用电即可实现＂被动制冷＂的效果,实......
在溅射淀积HfO2栅介质之前，采用NO、N2O、O2＋CHCCI3（TCE）进行表面预处理。结果表明，预处理能改善界面和近界面特性，减小界面层厚度，尤其是......
采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气......
采用射频磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了Ta／HfOx／Pt三明治结构，对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明，Ta／HfOx／Pt结构具有明......
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
分两步提取厂HfO2高κ栅介质等效氧化层厚度（EOT），首先，根据MIS测试结构等效电路，采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进......
基于密度泛函理论,利用超软赝势平面波方法首先对单斜晶相二氧化铪（m-HfO2）的电子结构进行了第一性原理计算,得到了能带结构、总态密......
据Rosatom网站2017年12月28日报道,位于俄罗斯格拉佐夫的CMP（Chetepsky Mechanical Plant）公司建立了工业化二氧化铪生产线。至此,俄......
采用激光分子束外延法（LMBE）在P型Si（100）衬底上沉积了（HfO2）；（Al2O3）Y（NiO）1-x-y栅介质薄膜，研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍......
二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中......
<正> 通过根本改变晶体管材料,利用低于0.1μm的制造工艺生产出的LSI将突破以往在芯片动作的高速化和低耗电方面的极限。 美国Univ......
运用广义梯度近似密度泛函理论方法（GGA-PW91）结合周期平板模型,研究水分子在二氧化铪（111）和（110）表面不同吸附位置在不同覆盖度下的吸......
【正】美国斯坦福大学研究人员在《自然》杂志上介绍了一种新的节能材料,它可让建筑物在炎炎夏日无需用电即可实现"被动制冷"的效......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
会议
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与......
