去除速率选择比相关论文
硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总......
在多层铜布线化学机械平坦化(CMP)过程中,阻挡层抛光是比较重要和复杂的一步,其主要涉及到Cu、Ta、TEOS等多种材料的同时去除,且还需......
近几年来,随着极大规模集成电路的飞速发展,工艺技术节点降至7 nm及以下,集成电路制造工艺越来越复杂。传统的插塞金属钨由于其沉......
钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互......
在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一。低k介质材料的引入要求阻挡层在......
期刊