半导体锗相关论文
我们发现用霍尔元件测量载流螺线管内轴线上磁场时,霍尔元件在管内轴线上实际位置的确定很重要。它不仅关系到实验的精度,而且也......
比较了长波（8～12μm）红外透射材料的性能，ZnS是较好的长波窗口和头罩材料，描述了ZnS的三种不同制备的工艺，同时对三种工艺获得的ZnS的光......
本文依据位错的弹性理论建立了半导体锗中 6 0°棱位错模型 ,用Recursion方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及......
锗的生产在祖国一天等于二十年的社会主义建設中十分重要。因此,与此相关的問題,即锗生产过程中的控制分析法,在指导生产方面也是......
锗在60年代中期以后,由于受到硅的竞争,在半导体领域内一直处于需求下降的地位,长期生产不振。但近年由于锗在半导体以外新的应用......
本文就结构、工作原理、性能、应用实例等方面介绍了光机扫描制的 RXY—1型多用途便携式红外热象仪。该仪器的性能已接近或超过从......
绪言由于晶体三极管的发明,对于高质量的半导体材料的要求越显得需要。但多晶的半导体材料不能满足这种要求,而必须制备结构完正,......
回首本世纪最伟大的发明,晶体管出人意料的击败计算机和网络而一举当选。纵观即将过去的20世纪,人类的发明创造无以计数,但能够独......
在半导体器件的发展中,最初所用的材料主要是元素半导体锗。在1960年后,元素半导体硅的材料和器件工艺迅速发展起来,很快在半导体......
本文阐述了在恒定低温(77K)下和恒定磁场下测试半导体磁阻的装置,并分别测得了n-Ge的?和?曲线.
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近十几年来,半导体锗(锂)[Ge(Li)]探测器在核物理实验等各方面得到了广泛应用。而这种探测器必须在低温下工作和贮存,因此需要一......
丹东市无线电一厂与空字809部队协作,经过一年多的努力,共同研制成锗电阻温度计,为我国的低温工作做出了贡献。锗电阻温度计是用......
一、前言 硅压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应制成的一种新型压力传感器。这种压阻效应早在三四十年代已被发现,但由于涉......
<正> 半导体器件的应用正日益广泛地渗透到国防、自动化和其它国民经剂各部门,人们对它的研究感到了极大的兴趣。而这些半导体器件......
远红外负离子防水透湿面料将具有远红外负离子抗菌功能布料与高透湿的TPU,即单面弹棉面料复合成具有防水透湿功能面料,主要功能有:......
针对高空红外场景模拟的需要，提出了模拟低温背景红外场景的新物理概念和半实物仿真实验装置。将锗单晶制作的初始透明的半导体屏放......
