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该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这些缺陷的成因及其与生长过程的关系，并认为提高原材料统纯度、合适的化学组分配比及改善淬火工艺，可以减少缺陷，改善碲镉汞晶体的质量。
固态再结晶法生长碲镉汞晶体的缺陷研究
【摘 要】
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该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这些缺陷的成因及其与生长过程的关系，并认为提高原材料统纯度、合适的化学组分配比及改善淬火工艺，可以减少缺陷，改善碲镉汞晶体的质量。
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室(西安) 昆明物理研究所(昆明)
【出 处】
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第十三届全国红外科学技术交流会
【发表日期】
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1998年12期
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