高能电子衍射仪相关论文
自石墨烯这一特殊的二维材料发现以来,凝聚态物理和材料物理领域掀起了有关二维材料的研究热潮。利用分子束外延这一技术,可以在不......
该文详细介绍了作者设计和制作的一种新型的反射式高能电子衍射仪(new-RHEED)的 结构和特性。配在常规的脉冲激光沉积(PLD)设备上,......
激光分子束外延(LaserMBE)集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体,不仅可以生长通常......
采用反射高能电子衍射仪与扫描隧道显微镜技术对GaAs(001)-(2×4)表面重构下的表面形貌进行深入研究,获得GaAs(001)薄膜处于不同(2......
综述了几种用于监控薄膜外延生长的光学原位实时监测方法的进展.其中光反射差法/光反射各向异性谱(RDS/RAS)和p偏振反射谱(PRS)、表面光吸收(SPA)、椭偏仪......
较为系统地介绍了一台激光分子束外延的总体结构和关键技术研究 .同时使用该设备和技术 ,实现精确控制原子尺度外延生长 ,获得原子......
用激光分子束外延技术在SrTiO3 (0 0 1)衬底上外延生长了高质量的BaTiO3 薄膜 ,薄膜的生长过程由反射式高能电子衍射仪 (RHEED)原......
为了制备高温超导带材,采用直流反应磁控溅射在Ni-5%(摩尔分数)W衬底上制备双轴织构的CeO2薄膜用作缓冲层。通过反射高能电子衍射......
本文报导首次用自制的分子束外延(MBE)炉生长GaAs单晶薄膜的初步工艺实验。用一个喷射炉装GaAs多晶作As源,另一个喷射炉装Ga作Ga源......
表面普遍存在,具有独特的性质.近十几年来发展了一系列表面分析技术,使表面物理的微观研究成为可能.同时,表面物理具有广泛的技术......
由电子工业部长沙半导体工艺设备研究所研制的FW-1型分子束外延设备于1985年12月14日至16日在长沙通过了部级鉴定。 分子束外延是......
本文介绍我所研制成功的一台用于分子束外延(MBE)的反射式高能电子衍射仪的工作原理、技术指标、特点和调试结果。
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该文详细介绍了作者设计和制作的一种新型的反射式高能电子衍射仪(new-RHEED)的 结构和特性。配在常规的脉冲激光沉积(PLD)设备上,......
激光分子束外延是近几年才出现的一种高精密新型制膜技术.文章较系统地介绍了我国第一台激光分子束外延设备的计算机控制和反射式高......
通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像......
介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。分析了采用ECR-PEMOCVD生长......
<正> 分子束外延(简称MBE)技术是近十年来基于真空蒸发技术发展起来的一门晶体生长新技术,它是在超高真空(10-10托)条件下,控制不同......
本文主要研究内容是GaSb的同质/异质外延生长和材料的表征和物性分析,利用同质外延指导异质外延的生长。具体如下:采用分子束外延在......
本文从理论上分析了GaSb基锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数的线性插值计算InGaAsSb,AlGaAsSb四元......