磁控溅射制备氮化铜薄膜及其掺杂研究

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【摘要】

：

Cu_3N薄膜是一种以共价键结合的亚稳态半导体材料,具有热分解温度低、电阻率高、在红外和可见光波段反射率低等特点,成为近年来光存储和微电子半导体等领域中备受瞩目的新型应用材料。Cu_3N晶体为反三氧化铼(anti-ReO_3)型简立方结构,由于Cu原子并未占据Cu_3N晶胞的体心位置,其它原子填充到其体心空位,将引起薄膜光学和电学性质的显著变化。本论文采用反应直流磁控溅射法在不同氮气流量下制备了C

【作者】

：

白秋飞

【机构】

：

南京邮电大学

【发表日期】

：

2012年02期

【关键词】

：

氮化铜薄膜反应磁控溅射氮气流量 Ni掺杂晶体结构表面形貌

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