比接触电阻相关论文
碳化硅（SiC）作为第三代半导体，具有宽禁带、高临界场强、高热导率、耐高温、耐腐蚀等优良性能，然而，良好的欧姆接触是制造SiC器件必不可......
作为第三代半导体的突出代表,SiC因具有很多的优良特性而被广泛应用于高频、高压器件中。在SiC器件的制造过程中,获得稳定性好且接......
当今的许多行业都需要在高温环境下工作的电子器件,如航空航天、火力发电、石油勘探和核能等,而目前的Si基器件的极限应用温度仅达......
采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体......
文章介绍了AZO/N Si欧姆接触特性的研究和AZO/N Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N Si的退火温度和时间对其欧姆接......
新一代半导体材料碳化硅(SiC)相比于当今电子行业中最常用的半导体材料Si而言,具有宽带隙,高击穿电场和高导热率等优异性能,使其适......
本文主要研究AlGaN/GaN二极管制备工艺中Ohmic Contact金属和Schottky Contact金属电极的制备,主要讨论了金属电极材料的选取,退火......
研究了Ni含量对Au-12Ge共晶合金组织、欧姆接触性能的影响.结果发现,随着Ni含量增加,合金偏析加剧,最低接触电阻值先减小后增加,对......
期刊
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品......
研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比......
期刊
多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电......
给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元......
利用电子回旋共振（ECR）氢等离子体处理n型4H—SiC（0．5～1．5×10^19cm-3）表面，采用溅射法制备碳化钛（TIC）电极，并在低温（~800。C）条件下退火。......
对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制......
介绍了n^＋-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n^＋-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离（0001）方向7.86°的4H-Si......
从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多......
研究了离子束溅射制备的Au／n—InP欧姆接触在退火前后的界面特性。400℃10min退火后，比接触电阻比退火前降低了约两个数量级。利用俄......
为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型（TLM）,对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的......
研究了Ti／Al／Ni／Au多层金属与GaN HEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关．在氮气氛中880℃条件下快速......
精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率，用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻．针对N型Ni基SiC......
宽带隙的GaN具有优良的物理和化学性质,己成为半导体领域研究的热点之一。p型GaN的欧姆接触问题制约了GaN基器件的进-步发展。本文......
欧姆接触技术在半导体激光器制作中占有十分重要的地位,按其理论分析了获得GaAs、InP激光器低欧姆接触方法,分析了影响欧姆接触电......
本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)......
GaN和相关的Ⅲ-Ⅴ族氮化物已经在蓝光波段和紫外光波段得到了开发和应用,目前正向着高温大功率电子器件方向发展。在开发器件过程......
碳化硅(SiC)是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用的半导体材料Si,Ge以及GaAs相比,SiC材料具有宽禁带、高......
SiC是继一、二代半导体材料之后迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高热导率、高饱和电子漂移速率和宽禁带等特点,是制作......
新一代半导体材料碳化硅（SiC）是制作高温、高频、高功率器件的理想材料,欧姆接触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的......
宽带隙半导体SiC是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触问题是宽带隙半导体器件研究中的技术难点。欧姆接触不仅......
砷化镓（GaAs）金属—半导体场效应晶体管（MESFET）是一种重要的GaAs器件,广泛的应用于无线通讯、信息技术和相控阵雷达等众多领域。栅漏......
能源与环境危机的压力,使市场对高效率、低成本的太阳能电池的需求越发迫切。本文着重对晶硅太阳能电池的前电极银浆进行了改性研......
通过作图的传输线法测定比接触电阻率,定量地研究硅太阳电池正面电极用银导电浆料中银粉颗粒大小和玻璃相组成对银电极/硅表面欧姆......
研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比......
金属与Si基n-Ge形成的欧姆接触的比接触电阻高,是制约Si基n-Ge器件性能的关键因素之一,因此选用恰当的金属作为其欧姆接触的金属电......
