随着航天航空技术的发展，半导体器件及电路在总剂量辐照环境下的特性变化越来越受关注。CMOS器件作为集成电路的重要基本单元，在总剂量辐照应力下会产生显著的退化特性，导致芯片和集成电路失效。本文建立了一个描述CMOS器件在总剂量辐照应力下的模型并进行仿真验证，着重分析了温度对器件退化程度的影响。论文首先考虑表面势隐含方程的运算效率以及表面势方程处于平带电压点s=0附近的局限性，修正并简化了表面势方程。基于新的表面势方程，开展总剂量辐照效应的建模工作。其次，由于深亚微米CMOS器件栅氧化层非常薄，在总剂量辐照效应下，固定电荷和界面态的变化不明显，而STI（Shallow Trench Isolation）场氧隔离区中电荷变化相对较为明显，从而引入了寄生晶体管，造成了器件静态泄漏电流增大。针对此现象，本文通过引入电势分量rad，描述总剂量辐照效应下STI场氧隔离区固定电荷和界面态变化特性，对STI场氧隔离区引入的寄生晶体管进行建模，修正了漏电流方程，新的模型可以较准确地描述深亚微米CMOS器件在总剂量辐照应力下的退化特性。最后，从一维连续性方程出发，针对之前推导的STI场氧隔离区固定电荷和界面态的原始模型，考虑温度因素，对原始模型进行了修正，使修正后的模型能较准确地反映器件泄漏电流随温度变化的特性。基于上述模型，分析了温度对器件退化程度的影响。对于NMOS器件而言，在同一辐照总剂量下，随着温度的升高，固定电荷数量减少，界面态浓度增加，由总剂量辐照引起的总泄漏电流变小。