功率VDMOS器件除了广泛应用于家电、工业控制等领域外,还大量应用于核环境和空天环境的电力电子系统。核环境和空天环境中存在的多种辐照效应会造成VDMOS器件的特性变差,甚至引发失效,因此开展VDMOS器件的抗辐照性能的研究具有非常重要的意义。另外,VDMOS器件常工作于过电流状态,因此迫切需要VDMOS具有采样功能,以实现对VDMOS及其应用系统的控制和保护,鉴于此,本文研究了具有抗总剂量辐照加固和具采样功能的500V的高压VDMOS。本文工作如下：1、进行500V VDMOS的设计,包括工艺制程(前栅工艺、后栅工艺)、元胞设计(方形、条形、六角形)和终端设计,结合VDMOS器件需要抗总剂量辐照的要求,最终采用了后栅工艺流程和方形元胞,后栅工艺流程可减小热过程对栅氧化层固定电荷和界面态的引入,提高了栅氧质量,即提高器件的抗总剂量辐照能力。仿真结果表明：对器件进行200Krad(Si)的总剂量辐照后,器件击穿电压减小约60V,阈值漂移量值约为辐照前阈值电压的20%,但仍处于合理要求范围内。因此设计VDMOS器件在仿真中具有抗2OOKrad(Si)的总剂量辐照能力。2、进行了采样结构研究。由于全局电流采样方法会增加器件应用回路的导通电阻,从而使功耗迅速增大,因此本设计采用了局部电流采样,并应用局部电流采样原理设计了四种版图结构,采样比约为1：4。该四种版图结构分别采用元胞、用pbody掩膜版光刻形成的带状pbody扩散阱、带截止环和不带截止环的终端结构来隔离采样元胞和主体元胞区域。目前器件流片正在进行中,由于合作方流片周期较长,故暂未获得流片结果。