【摘 要】
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研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性。结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效应比常温时更明显。
The annealing charac
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,
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研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性。结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效应比常温时更明显。
The annealing characteristics of a total dose of SIMOX SOI MOSFETs under different temperature and bias conditions were studied. The results show that the annealing effect is obvious when ON bias is applied, and the annealing effect at high temperature is more obvious than at normal temperature.
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