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针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应，进行了二次电源用3 款MOSFET（IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405）的抗辐射总剂量设计，通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3 款MOSFET 的辐照设计余量（RDM）均不小于3。开展总剂量辐照试验验证，对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据，验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。