【摘 要】
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近年来,利用1—12MeV加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺.它有效、精确地控制了器件寿命参数.全面衡量器件各参数,可以看出,12 MeV电子辐照比
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系
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近年来,利用1—12MeV加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺.它有效、精确地控制了器件寿命参数.全面衡量器件各参数,可以看出,12 MeV电子辐照比低能量电子辐照或Co-r,辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化.在1—12MeV电子辐照中,12MeV电子有较强
In recent years, the use of 1-12MeV accelerated electron irradiation, the silicon material can be successfully introduced into the composite center, and instead of gold and other processes. It effectively and accurately control the device life parameters. A comprehensive measure of the device parameters can be seen , 12 MeV electron irradiation is more conducive to the overall optimization of the semiconductor device parameters than the low-energy electron irradiation or Co-r irradiation.In the 1-12MeV electron irradiation, 12MeV electrons are stronger
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