两步退火相关论文
伴随汽车产业的发展和更加严苛的环境保护政策,能有效减轻车身重量和提高车辆安全性能的高强塑性汽车钢已经受到了越来越多的关注......
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射......
由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5512)表面自组装纳米线的候选材料。本研究试用不同的银覆盖......
应用电子背散射衍射(EBSD)技术研究退火工艺(单步法和两步法)对形变量为99%的镍基带中立方织构形成的影响。结果表明,随着退火温度......
工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了......
工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了......
该文报道通过Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层薄膜固相反应在（１００）Ｓｉ上异质外延生长ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜。研究了该多层结构经不同温度退火的固相反应特性。在有ＣＭＯＳ电路的Ｓｉ片上淀积该......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
２ＭｅＶ，（１～２）×１０＾１４ｃｍ＾－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０＾－４～－２．９×１０＾－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢......
采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜，对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现，经过950℃下的第......
由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5 5 12)表面自组装纳米线的候选材料.本研究试用不同的银覆盖......
CTHQ25钢是一种低碳贝氏体钢,广泛用作钎具材料。但由于此类低中碳合金钢熔炼-锻/轧后存在组织性能不均匀和硬度偏高等问题,不利于......
模拟自对硅化物技术的两退火工艺，对超高真空（ＵＨＶ）下制备的Ｔｉ／Ｓｉ样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射的（ＸＲＤ）分析样品......
采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获......
