电容-电压相关论文
研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽......
结区的温度,简称结温,是发光二极管(LED)的重要参数之一,它对LED器件的出光效率、光色、器件可靠性和寿命均有很大影响,准确测量LE......
超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的SiO2栅介质厚度需要低于1......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压（C—V）特性随温度和偏置电压的变化情况，观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷......
提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈......
先进电气测试仪器与系统的领导者吉时利仪器公司（NYSE：KEI），日前宣布对4200-SCS半导体特征分析系统进行全面的硬件、固件和软件升级。......
研究了应用双边C-V法测量超浅结（如p^＋-n结）的掺杂分布。推导了在已知p^＋-n结的电容-电压（C-VR）关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽......
以氧化层电荷非均匀分布的MOS结构为例,介绍求解一维任意电荷浓度分布电势的3种方法0x0E?Symbol~B@0x0F0x0E?Symbol~B@0x0F电势叠......
无源元件制造商们要为医疗市场提供有效的服务,就必须满足一些特定的要求,对电子元器件来说,头号的要求就是可靠性。然而,随着包括......
提出了一种基于有机半导体材料制作肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺依次将金属铝,酞菁铜和金属铜镀在玻璃基片上.在室温......
高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外......
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的......
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅（SiNx）薄膜的方法,采用NH3等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制......
电能是目前最重要的能源，如何减少电能在传输、转换等过程中的损耗具有重大的现实意义。电力电子技术研究的是电能的输送、转换和控......
为了改进集成电路性能和速度,需要不断缩小器件尺寸,高掺杂且突变的超浅源／漏结的是高性能MOS器件所必需的。但传统的掺杂浓度测量......
