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本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结构和组份,讨论了氮化条件对膜性质的影响,并提出了物理模型加以解释。
薄SiO2膜的等离子体氮化研究
【摘 要】
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本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结构和组份,讨论了氮化条件对膜性质的影响,并
【机 构】
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南京工学院微电子中心,南京工学院微电子中心,南京工学院微电子中心南京通信工程学院理化教研室
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年6期
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