SiON膜相关论文
该文研究了用作薄介质栅的等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成的SiON薄膜与其击穿电学特性,探索该薄膜击穿电学特性与微观......
本发明涉及由HfSi[0.05-0.37]组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材，所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良，并适合于形成......
本文研究了雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_zN_y膜体内电子陷阱和界面陷阱的影响.结果表明:快速热氮化的SiO_xN_y膜存在着不同类......
