组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zgm_19780916

【摘要】

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通过在InP基InxAl1-xAs递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22 As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84 Ga0.16 As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表

【作者】

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方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院研究生院,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2013年6期

【关键词】

：

INALAS 缓冲层 X射线衍射光致发光 InAlAs buffer X-ray diffraction photoluminescence

【基金项目】

：

National Basic Research Program of China（2012CB619202）,the Founding of CAS Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,and Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and I

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通过在InP基InxAl1-xAs递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22 As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84 Ga0.16 As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性

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