低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mbx1998

【摘要】

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采用气源分子束外延（GSMBE）生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响，得到优化的生长条件为：生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂，并采用In0.5

【作者】

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万文坚尹嵘韩英军王丰郭旭光曹俊诚

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

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强激光与粒子束

【发表日期】

：

2013年6期

【关键词】

：

低温InGaAs INGAAS INALAS 多量子阱分子束外延 low-temperature InGaAs InGaAs/InAlAs multipl

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采用气源分子束外延（GSMBE）生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响，得到优化的生长条件为：生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂，并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构，将材料的方块电阻提高到1.632×106 Ω/Sq，载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明：InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电

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