铁电电容器相关论文
一维铁电纳米管阵列由于比表面积大和定向排列等特点,在铁电随机存储器（Fe RAM）等微电子器件领域有着广泛的应用前景。随着绿色环保......
通过射频磁控溅射法和脉冲激光沉积法,以Ti-Al为阻挡层,在(001)Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO_3(LSCO)/Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3(NBT)......
本文利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶衬底上生长了Sb掺杂BaSnO3(BSSO)外延薄膜.结构和输运性质测量结果显示BSSO薄膜是一种具有......
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在不同的基片、不同的电极上制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,构造了不同的电容器结构,并进行了多种性能的检......
磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Pr......
在不同氮气和氩气流量比的混合气体下,应用磁控溅射法在Si(001)衬底上制备了Ti-Al(10 nm)和Ti-Al-N(10 nm)薄膜,采用X射线衍射仪、......
Ni-Al oxidation-resistant films and Ti-Al oxidation-resistant films, used for the barrier layers during the integrating ......
采用磁控溅射法(magnetron sputtering),室温下在Si(001)基片上制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Ti、Ni-Al以及电极La0.......
寻找性能良好的阻挡层来抑制Cu的扩散一直是Cu互连技术的关键,因此,研究阻挡层的失效机理对于提高互连可靠性具有重要的意义。采用......
采用溶胶-凝胶法制备PbZr0.4Ti0.6O3(PZT)铁电薄膜,磁控溅射法生长FePt、Pt等电极材料,架构了不同衬底和不同电极的PZT电容器。采......
学位
通过脉冲激光沉积，于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3／Pb(Zr0．52Ti0．48)O3／LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆......
用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中反分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构，包括铁电层和非开关介电......
采用Landau-Devonshire自由能理论和晶格模型,研究了PbZr1-xTixO3（PZT）/SrTiO3（STO）复合薄膜中PZT的钛（Ti）含量（x=0.5,0.6,0.8,1.0）对铁电......
透明导电氧化物（TCO）薄膜以掺Sn的In2O3（ITO）、掺Al的ZnO（AZO）、掺Sb的SnO2（ATO）等为代表,是一种重要的光电信息材料。由于在可见光的范围......
钛酸锶钡[Ba1-xSrxTiO3]（BST）薄膜是目前凝聚态物理领域倍受关注的铁电材料。一方面,由于它具有优异的铁电、压电、介电和热释电性能......
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结合Landau-Devonshire自由能理论和晶格模型,研究了PbZr1-xTixO3（PZT）/SrTiO3（STO）复合薄膜中PZT和STO厚度对铁电隧道结极化强度、电......
以射频磁控溅射法生长的La0.5Sr0.5CoO3（LSCO）为电极，采用溶胶一凝胶法在以Ti-Al为导电阻挡层的si基片上生长了用不同Pb过量前驱体溶......
采用磁控溅射法和脉冲激光沉积法,在SrTiO3（001）衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3（70 nm）/Pb（Zr0.4Ti0.6）O3（70 nm）/La0.5Sr0.5CoO3（70 nm）（LSCO/PZ......
分别采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法（Sol-gel）制备了（La0.5Sr0．5）CoO3（LSCO）和Pb（Zr1-xTix）O3（PZT）薄膜，在Pt（111）／Ti／SiO2／Si基片上构架了LSCO／Pb（Zr0．4T......
本工作通过透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对取向聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜的熔融重结晶行为进行研究,并以取向PVDF薄......
本文采用脉冲激光沉积法于不同沉积温度与衬底制备了一系列的La0.05Sr0.95TiO3(LSTO)单晶透明导电薄膜.实验主要研究了高温高氧压......
