硅基铁电电容器导电阻挡层的研究

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【摘要】

：

Ni-Al oxidation-resistant films and Ti-Al oxidation-resistant films, used for the barrier layers during the integrating Si-based ferroelectric random access memory, have been deposited on silicon by m

【作者】

：

李锋

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2007年06期

【关键词】

：

Ni-Al conductive barrier layer Ti3Al conductive barrier layer Ferroelectric capa

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