用于硅基含铜铁电电容器集成的Ti-Al阻挡层

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【摘要】

：

磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Probe)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对阻挡层性能进行了分析。研究了退火温度对Ti-Al薄膜阻挡性能的影响。研究发现温度从室温到750℃样品表面粗糙度和方块电阻没有急剧升高,并且XRD曲线中没有Cu-Si等杂相出现。600℃

【作者】

：

邢金柱

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2009年06期

【关键词】

：

铜互连 Ti-Al导电阻挡层铁电电容器磁控溅射法溶胶-凝胶法

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