钛酸锶钡薄膜相关论文
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3, BST)作为典型的钙钛矿结构材料,其介电常数随外加直流偏压变化而发生改变,具有很强的非线性,利用该性质可......
钛酸锶钡(BST)薄膜具有较高的介电常数和较低的介质损耗，在动态随机存储器(DRAM)、传感器、探测器等方面应用前景广阔。本文旨在采......
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)薄膜具有非线性强、漏电流小、居里温度可调等特点,因而在介质移相器、压控滤波器等方面有着广泛......
Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜具有非线性介电效应，即材料的介电常数随着外加电场变化的非线性特性，具有这种特性的材料可用来制备电可调微......
本文介绍了高介电常数氧化物薄膜在动态随机存储器应用上的重要地位和目前存在的主要问题及解决办法。采用脉冲激光沉积技术制备了......
PLZT、BST铁电薄膜具有良好的光学、电学和电光性能,因而在光波导、电光开关等方面具有广阔的应用前景。本文完成了PLZT靶材配方研......
钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3,简称BST)薄膜是一种性能优良的铁电材料,具有非线性强,漏电流低和热释电系数较高等特点,BST的居里温......
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)是一种钙钛矿结构的铁电材料,具有高介电常数、低损耗、低漏电流密度、电压非线性强等优点,尤其该......
BST薄膜由于具有良好的铁电、介电、热释电效应及无铅绿色环保性，在动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM、非制冷红外传感器UF......
本论文主要研究二元共掺对Sol-gel法制备的钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜介电性能的影响。围绕提高BST薄膜介电性能而展开,结......
钙钛矿结构的铁电材料钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3是一种重要的电子陶瓷材料，它是SrTiO3和BaTiO3的x在0～1整个范围内的固溶体，不但具有SrTiO......
近几十年里，各种薄膜材料层出不穷，钛酸锶钡薄膜(BST)作为其中重要的一支，已取得重大研究成果。本论文采用改进溶胶-凝胶(Sol-Gel)法......
钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3，BST)薄膜，其厚度在纳米级到微米级，是一种典型的应用范围极广的铁电材料。在外加电压下，BST薄膜的介电常数易于......
随着无线通信技术向多频段方向的迅速发展,对可调体声波谐振器(FBAR)的要求越来越高,不仅要求其具有高的调谐率,而且要求其具有较......
鉴于钛酸锶钡(BST)铁电材料在电调谐微波器件的巨大应用前景,本文用陶瓷烧结工艺制备了BST/MgO和BST/MgO/BZN两种复合陶瓷,研究了......
BST铁电薄膜因其具有良好的铁电、介电、压电等方面的特性,成为近年来研究的一个热点。其优良的性能可以使其应用在移相器、动态随......
非晶结构铁电材料的研究报导较少,尤其是非晶铁电材料的室温微光学性能的研究在国际上才是近年的研究课题。本论文主要研究了系列......
与传统的介质陶瓷滤波器和声表面波滤波器(SAW)相比,基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器具有体积小、工作频率高、插入损耗低......
应变计在各种零部件的力学性能以及力学行为研究中发挥着重要的作用。目前,应变计大部分是基于压阻效应,即电阻随应变的变化而成比......
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST,0≤x≤1)薄膜介电常数随外加电场变化而非线性变化,在微波调谐器件上有广泛应用前景。本论文主要研究......
钛酸锶钡(Ba_(1-x)Sr_xTiO_3或BST)以其高介电常数、低损耗，介电响应快、疲劳强度大等优点，在下一代动态随机存储器(DRAM)上的应用前......
Ba1-xSrxTiO3具有优异的电性能。本文利用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,并研究了各工艺参数对薄......
应用溶胶 -凝胶工艺在Pt/SiO2 /Si(10 0 )衬底上制备了Ba0 .6 4Sr0 .36 TiO3薄膜 ,研究了薄膜的结构与电学性能。实验结果表明 :Ba......
采用射频溅射,在 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(BST)薄膜和 Pt/Ti/SiO_2/Si 衬底之间制备10 nm 的 Ba_(0.65)Ru_(0.35)RuO_3(BSR)缓冲......
用溶胶-凝胶方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Na+的不同浓度均匀掺杂和成分梯度掺杂(上梯度)钛酸锶钡(Ba0.25Sr0.75TiO3)薄膜.电性......
实验发现在较高电流密度的电子束照射下(电流密度约为2nA/cm2),BST薄膜有辐照损伤现象发生.原位实时记录的Ti和O的电子能量损失电......
用SoI—Gel法制备出表面致密，界面清晰的BST铁电薄膜。分析了BST薄膜的J-V特性，由于使用了不同的上下电极，导致J—V曲线的不对称，且在......
采用溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜,经XRD测试薄膜的相结构,证明薄膜具有一定的择优取向性。性能测试表明,随Mn掺杂量的增加,薄膜的......
介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST（BaxSr1-xTiO3）薄膜的新方法，讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响，分析了薄膜的居里......
采用适当热处理工艺得到择优取向Ni片,通过溶胶凝胶方法制备〈100〉择优取向BST薄膜,并对薄膜的铁电性及漏电流特性进行了初步研究......
用改善的溶胶凝胶（Sol—Gel）法制备了钛酸锶钡（Ba0．6Sr0．4TiO3，BST）薄膜，研究了退火温度对薄膜晶化及介电性能的影响。X射线衍射表明，由于薄......
用改进溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si上制备了钇（Y）掺杂Ba0．6Sr0.4TiO3（BST）薄膜，研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响。XPS结果表......
用改善的溶胶凝胶法制备铈掺杂钛酸锶钡（Ba0.6Sr0.4TiO3，BST）薄膜，研究其结构与介电性能。X射线光电子能谱表明，铈掺杂显著地减少了薄膜......
近年来，多层铁电薄膜的研究越来越引人注目。由于薄膜的电学性能受界面耦合和层与层间相互作用影响很大，因此，通过多层膜的构造引人界......
用脉冲激光沉积工艺制备（Ba0.5Sr0．5）TiO3（简称BST）薄膜和（Ba0.5Sr0．5）TiO3／LaNiO3（简称BST／LNO）薄膜。在650℃原位退火10min，获得了（100）和（110）择......
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜,并在氧气中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝及......
用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料，采用sol-gel工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5-xMgxTiO3薄膜，其退火处理温度为75......
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜......
随着DRAMs存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的DRAMs技术的发展.在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能......
采用射频（RF）溅射，在Ba0．65Sr0．35TiO3（BsI＇）薄膜和Pt／Ti／Si02／Si衬底之间，制备10nm厚的Ba0.65Sr0．35RuO3（mR）缓冲层，研究了BSR缓冲层对BST薄膜结构......
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了钛酸锶钡（BST）薄膜，利用气氛炉对薄膜进行晶化处理，晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研......
用溶胶凝胶（Sol-Gel）法制备了三种钛酸锶钡（Ba0.6Sr0.4TiO3, BST）薄膜：常规的四层薄膜, 在逐层制备过程中，对首层薄膜进行中间热处理（Preh......
用Sol-Gel法制备了钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)纳米晶,用FT-IR、XRD、TG-DTA、AFM等表征技术研究了其晶化过程.结果表明,溶胶经冰乙......
在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上,用脉冲激光沉积工艺分别制备出了（110）外延取向生长的（Ba0.65Sr0.35）TiO3/CaRuO3（BST/CRO）异质结构薄膜;BS......
虽然风能、太阳能、潮汐能等新能源被转化为电能缓解了能源危机,但电能储存技术问题一直没有解决。电容器是电能存储的核心单元,传......
用改进的溶胶-凝胶法制备铈（Ce）掺杂和非掺杂2种钛酸锶钡（Ba0.6Sr0.4TiO3,BST）薄膜,用X射线光电子能谱（XPS）研究薄膜的表面结构。XPS结果......
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表......
