薄膜生长相关论文
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
氢气作为新型清洁能源是人们追求环境和能源和谐统一的最佳选择。随着氢气在工业中大量生产和应用,研制出性能良好、结构简单的氢......
近些年来低维材料成为十分热门的研究内容,低维材料往往拥有独特的性能,相关应用价值体现在众多科研领域,这吸引了无数科研工作者......
作为基础的电子元器件,隧道结的发现在理论和实验上均有极其重要价值。隧道结以量子力学中的隧道效应为工作原理,在超导电子学、自......
金刚石因其极佳的物理化学性质,可应用于各种高端的科技领域,单晶金刚石,特别是大尺寸、高质量的单晶电子级金刚石,更是由于结构完......
学位
本文提出了区域重叠划分和异步通信的并行计算策略,实现了运用蒙特卡罗方法模拟膜生长过程的并行计算,着重了减少通信耗费,大量地......
低带隙、富硒、贫硫的 Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)吸收层薄膜凭借材料本身较低的缺 陷浓度,一直比单纯的 Cu2ZnSnS4(CZTS)和 Cu2ZnSnS......
近年来,铟铝镓氮(InAlGaN)四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响.......
基于旋转器件的多通道椭偏仪的设计使得它们可以用于诸如原位、实时等薄膜以及表面的分析。利用叠加光源组合可将光谱上限扩展至6.......
本文用扫描探针分析技术,研究了直流磁控溅射工艺参数对锌薄膜形态与生长的影响。结果表明,随着衬底温度和直流溅射功率的降低,锌......
本文用Kintic Monte Carlo方法研究了薄膜的生长机理,建立了一个比较合理的三维模型,并对激活能的计算给出了比较合理的方法.首次......
我们发现了化合物半导体载流子类型调控的一个潜在规则，这一规则将原本看上去无关的化合物半导体薄膜中的载流子浓度及类型调控与材......
本文使用MOCVD方法，在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长，并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。......
会议
由于FePt薄膜的有序化过程存在有序畴的形核和生长，为了获得细小、均匀的晶粒尺寸，需要促进FePt薄膜L10有序畴的形核并抑制其生长。......
基于旋转光学元件设计的多通道椭偏仪已经取得了很大的进展，可进行在线和实时分析薄膜及其表明的光学性质，极大的提高了表明测量分析......
详细讨论离子束增强沉积IBED技术的原理、技术优势和在薄膜生长中的应用。采用IBED在Si衬底上制备出了非晶态Al-N薄膜。结果发现，IB......
采用热丝技术研究了在氢稀释度R=90﹪、98﹪及99﹪条件下玻璃衬底上硅的成核情况.在成核初期,氢稀释度为98﹪和99﹪条件下成核密度比90﹪高;在......
本文用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。生长过程中用反射高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行了监测,生长结束后......
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧......
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓......
会议
本文基于文献[4]HaberlandⅡ型装置较系统实验了一定能量的Al、Mo、Cu等团簇束分别沉积在P-Si(111)、P-Si(100)及其SiO基底上生长......
本文用Kinetic Monte Carlo方法研究了薄膜生长初期的岛核形貌,对激活能的计算采用了更加通用,准确的算法,模型考虑了原子吸附、迁......
在制备硅薄膜材料的PECVD 系统中，分别采用普通平行板电极和shower 电极，于相同的工艺条件下考察了电极结构对硅薄膜材料均匀性、光......
在高压条件下(300MPa),采用化学氧化原位聚合法在清洁的石英基片上制备得到了均匀导电的聚吡咯(PPy)薄膜.利用原子力显微镜测量和......
由于InAlN材料在微电子领域的发展,有必要研究其表面电子结构.利用X射线光电子能谱(XPS)和微曲Raman谱,研究了未掺杂的In0a3Al0.87......
本文应用SPC350多靶磁控溅射仪制备TiB薄膜,并研究了基片温度分别在室温和450℃时对TiB薄膜生长形貌及力学性能的影响.......
本文主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长。采用热灯丝CVD 法在硅上制备了金刚石薄膜，采用三氧化二硼制备了硼掺杂金刚石膜。利用拉曼光谱......
本文采用1.2°斜切LaAlO3基片,以脉冲激光沉积法(PLD)制备出性能较好的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ(BST/YBCO)异质薄膜.并进一步......
采用溶胶凝胶法制备CuCrCaO2薄膜,研究不同气氛、退火温度下, Ca掺杂量对薄膜的形成和电学特性的影响.在N2环境中1 100 ℃退火, 制......
在光通信飞速发展的今天，全光网络的实现已经不仅仅是梦想。对各种光波导器件的需求量也日益增大。商业化的环境必定会要求光波导器......
原子层沉积(ALD)是一种具有表面自限性的薄膜生长技术，可以在纳米范围内通过控制循环数，控制Al2O3的包覆量，从而提高聚烯烃膜的综合性......
利用高k介电薄膜材料替代传统的SiO2栅介质层是满足发展亚0.1μm以下尺寸的超大规模集成电路的要求，是目前微电子领域的研究热点之......
采用磁控共溅射法并结合微波退火制备B掺杂SiCx基硅量子点(Si-QDs)薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和霍尔测......
本文主要推导了多碱光阴极膜层反射系数函数，并通过计算绘出了几种多碱锑化合物光阴极薄膜的反射率与薄膜厚度、入射波长之间关系的......
针对水平热壁式反应室,采用数值模拟的方法分析了SiC生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布、反应气体浓度分布以及生长率沿基......
本文运用后退火方法成功制备了2英寸Tl-2212超导薄膜.为避免真空室污染,制备过程中先利用脉冲激光法在LaAlO3基片上沉积出不含Tl的......
本文对利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜进行了研究。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇......
本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13＜x＜0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明......
SnS2, Cu(Ⅱ)-doped SnS2(SnS2:Cu(Ⅱ)) and SnS nanocrystals have been prepared by hydrothermal method. The related thin fi......
利用计算机模拟了超薄膜中分形凝聚体的生长,考虑了薄膜生长过程中的团簇扩散和旋转.开始的团簇生长采用不同允许扩散步长下准圆形......
本研究用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜，研究了聚乙烯吡咯烷酮(PVP))添加剂对BST薄膜表面形貌的......
本文采用低压MOCVD技术生长了AlGaN/GaN、AlGaN/AlN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫......
Effect of substrate miscut on the electron mobility in InSb（001） structures on Ge and Ge-on-insulato
InSb epilayers 和 InSb/Al0.20In0.80Sb 量井被分子的横梁取向附生在 Ge (001 ) 底层和 Ge-on-insulator (GeOI )-on-Si(001) 底......
在原子层沉积系统(Atomic layer deposition) ALD的薄膜生长工艺流程中,关键部分在于对工艺腔室内部温度和压强的控制.由于ALD反应......
结合紫外光电子能谱(UPS),X射线光电子能谱(XPS),原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线衍射谱(GIXRD)等实验手段,系统研究了2,7-二辛基[......
利用溶胶-凝胶法首先在玻璃基片上制备了氧化锡晶种膜,之后采用溶剂热法在其上生长了致密的氧化锡薄膜。利用扫描电子显微镜和X射......
