脉冲激光沉积(PLD)相关论文
二氧化钒（VO2）是一种典型的具有热致相变性质的金属氧化物。在68°C时发生从高温金属相到低温绝缘体相的可逆相转变,在相变过程中伴......
ZnO的能带工程和p型掺杂是当前ZnO研究的两大热点和难点。通过等价阳离子部分取代Zn形成ZnMeO (Me=Mg、Be等)合金来调控ZnO带隙的......
本文首先详细分析了在脉冲激光沉积(PLD)过程中激光对靶的烧蚀特性,同时考虑了激光光束的Gauss分布,靶的有限尺寸以及相变、对流和......
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薄膜材料已在半导体材料、超导材料、生物材料、微电子元件等方面得到广泛应用。为了得到高质量的薄膜材料,脉冲激光沉积技术受到......
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采用溶胶--凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的......
综述了脉冲沉积(PLD)类金刚石膜(DLC)的优势和局限,对其局限的补偿和突破,以及脉冲沉积法的重要发展方向——超快脉冲激光沉积(Ult......
分别以铝、铒、镱为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD),在二氧化硅/硅基底上沉积镱、铒共掺的三氧化二铝薄膜.利用原子力显微镜(AFM)......
采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti......
期刊
采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火......
采用PLD法在LaAlO3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3(Ca2/3Sr1/3)2/3MnO3(LCSMO)薄膜.薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙......
分别采用固相法和溶胶一凝胶（Sol—Gel）法制备了Ca3Co4O9热电陶瓷靶材，对Ca3Co4O9薄膜的成膜工艺及机制进行了分析与探讨，在此基础上，采......
用脉冲激光沉积（PLD）方法,在蓝宝石（0001）衬底上,制备了高度c轴取向的Zn1-xCoxO（x=0,0.02,0.05,0.07,0.1）薄膜。X射线衍射（XRD）分析表明,当......
采用脉冲激光沉积（PLD）法，在制备有SrRuO3底电极的SrTiO3（001）基片上生长高质量的NiFe2O4／Pb（Zr0.52Ti0.48）O3双层复合磁电薄膜。用X-射线......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在不同氧气氛下,在Si（111）衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量。计算了不同氧气氛......
采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备TiN/Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2/TiN的MIM(金属-绝缘体-金......
本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法及热退火处理方式，利用输出波长为1064nm的Nd：YAG脉冲激光器在P型Si（100）衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2......
采用脉冲激光沉积方法，通过改变脉冲激光能量在单晶硅衬底上制备了类金刚石薄膜，利用椭圆偏振光谱和拉曼光谱对得到的薄膜进行测试，并......
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积（PLD）法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱（XRD）和原子力显微镜（AFM）对GaN薄膜的......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm^2,本底真空度5×10^-5Pa的条件下,......
采用脉冲激光沉积（PKD）技术，在Si（100）衬底上制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射（XRD）谱、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱，研究了......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷，我们用（002）ZnO单晶与ZnO薄膜作对比，并进行了霍尔测......
采用PLD方法制备了Fe/Al合金薄膜,研究了Fe/Al合金薄膜的物相、结构、应力等.研究表明薄膜的沉积速率随着衬底温度的升高而降低.原......
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利用脉冲激光沉积法在带有Y2O3、YSZ隔离层的金属基带上制备了CeO2帽子层。主要讨论了温度、激光脉冲频率对CeO2隔离层的影响，用X射......
以国产脉冲激光沉积设备（PLD-Ⅲ型）在玻璃衬底上沉积Ti O2薄膜为例,研究了PLD法制膜过程中靶衬间距对薄膜均匀性的影响.实验过程中,......
IrO2薄膜具有导电性好，耐腐蚀能力强，并能有效的阻挡高温下元素间（O、Zr、Pb、Ti等）的扩散等特点，已成为高密度动态随机存储器（DRAMs）和非......
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随着社会经济的迅速发展和环境资源的过度开发，环境污染问题越来越引起人们的极大关注。如有毒有害气体污染和各种水体中的重金属污......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的微观结构、......
Sn的两种重要的氧化物,一氧化锡（SnO）和二氧化锡（SnO2）,均为宽禁带半导体材料。SnO作为一种本征p型半导体,具有高迁移率和稳定的p型导......
用脉冲激光沉积（PLD）方法，在p-Si（100）衬底上、室温下和不同N2氛围中制备了高度取向的A1N薄膜，并利用X射线衍射（XRD）仪、傅立叶变换红外（FTI......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Al2O3（0002）衬底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、霍尔电导测量和......
用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅（PS，Porous Silicon）样品，然后以PS为衬底用脉冲激光沉积（PLD）的方法在100℃、200℃ 和300......
采用脉冲激光沉积技术在（0001）取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜，研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构，表面形貌及电学......
随着微机电系统(MEMS)的发展,对微能源的需求日益迫切。全固态薄膜锂离子电池是迄今为止最适合用于MEMS器件上的一种可集成的微能......
本论文的工作分成两个部分,第一部分主要涉及ZnO基半导体的p型掺杂及器件与ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究；第二部分主要关于......
ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下直接禁带宽度约3.3eV,激子结合能高达60meV,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。......
为了实现ZnO在光电器件上的应用,制备出稳定的、可靠的高质量p型ZnO材料是必不可少的。纤锌矿结构的ZnO本征是n型半导体,很难掺杂......
学位
电子信息系统对于微型化、单片化的不断追求,向电子薄膜及其集成器件的尺寸和功能性提出了更高的要求,促进了将氧化物功能材料以固......
学位
用脉冲激光沉积法(PLD)在多孔硅(PS)衬底上生长ZnS薄膜,分别在300℃、400℃和500℃下真空退火。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜......
在Ti6A14V(TC4)合金表面制备具有生物活性的羟基磷灰石涂层,可以将金属高的强度和良好的韧性与生物陶瓷良好的生物活性结合在一起......
ZnO由于其优异的性能而在光电、压电、热电、铁电等诸多领域被广泛应用。自从上世纪90年代,ZnO薄膜在室温下发生光泵浦近紫外激光......
学位
随着电子信息产业的发展和世界范围内对环境问题、能源问题的关注,电子信息系统需要器件能以更低的能耗、更小的体积、更快的速度......
硅是微电子器件的主要材料，但是硅是间接带隙材料，发光效率很低，人们一直希望将光电子器件与硅基微电子技术联系起来。虽然Ⅲ-Ⅴ族半......
三元半导体Cd掺杂ZnO薄膜通过脉冲激光法沉积在石英玻璃基底上,Gd含量x从0增加到0.23。X射线衍射(XRD)图谱表明,所有Zn1-x Cdx O薄......
采用脉冲激光沉积（PLD）在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备了新型Li0.04（Na0.5K0.5）0.96（Nb0.775Ta0.225）O3无铅压电陶瓷薄膜，分别利用x一射线衍射仪（X......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术，在不同环境压强下于室温Si衬底上沉积制备出了Ge纳米薄膜。用x射线衍射仪（xRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了环......
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