采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火......

采用准分子脉冲激光沉积（PLD）工艺，制备了Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管，在氧气氛350度低温沉积，原位530度快速退火工艺条件下，获得了多......