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采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在不同氧气氛下,在Si（111）衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量。计算了不同氧气氛下生长的ZnO薄膜的电阻温度系数（TCR）值,发现随着氧分压降低,ZnO薄膜的TCR值增大;ZnO薄膜的TCR值最高可达-8%/K。这为研究ZnO薄膜的导电特性提供了新的途径,开辟了ZnO薄膜在室温非制冷红外微测辐射热计材料中的应用潜力。