立方氮化硼薄膜相关论文
立方氮化硼（c-BN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度在6.1-6.4eV范围内,具有优异的物理化学性能,可通过掺杂形成n型或......
立方氮化硼是一种人工合成矿物,具有与世界上最硬的金刚石相同的硬度,它绝大多数供制造超硬刀具使用。但是,其制造方法与人造金刚......
立方氮化硼(cBN)是一种人工合成的半导体材料,具有良好的物理化学性质,在热学,力学,光学,电子学等方面有着广泛的应用前景,因此立......
立方氮化硼（Cubic Boron Nitride，简称cBN）有着优异的物理化学性质，硬度高、耐磨性好、抗氧化能力强、不易与铁系金属发生反应、可进行......
立方氮化硼(Cubic boron nitride,cBN)是具有优异物理化学性质的超硬材料和宽带隙半导体材料。它的硬度和热导率仅次于金刚石,高温......
该文主要研究cBN薄膜的制备、光学带隙以及BN(n-type)/Si(p-type)异质结的特性.使用射频溅射(RF)系统,靶材为烧结的六角氮化硼(hBN......
立方氮化硼(c-BN)是Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物，具有优异的物理化学性质，如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性。适合......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学性质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙III-V族化合物半导体材料，它有许多优异的物理化学性质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的......
采用射频磁控溅射法在离子注氮的高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,主要研究离子注氮层对c-BN薄膜相结构和内应力的影响;采用各种现代......
为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用......
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响......
利用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法以Ar,He,N2和B2H6为反应气体制备了高纯立方氮化硼薄膜.用四极质谱仪对等离子体状况进行......
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影......
在立方氮化硼薄膜气相生长过程中生成的无定形初期层和乱层结构氮化硼中间层,一直是阻碍立方氮化硼薄膜外延生长的主要原因.系统地......
期刊
运用离子束辅助沉积(IBAD)法在硅片上制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜, 研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中c-BN......
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,......
在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程......
文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性:(1)用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在......
采用射频磁控溅射法在注硼的硅和高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜，采用红外光谱（Infrared spectra，IR）、X射线光电子能谱（X-ray photoelec......
用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用......
合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行......
立方氮化硼（c-BN）具有优异的物理和化学性质,在力学、光学和电子学等方面有着广泛的应用前景.自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜......
立方氮化硼(Cubic boron nitride, cBN)是具有优异物理化学性质的超硬材料和宽带隙半导体材料。它的硬度和热导率仅次于金刚石,高......
在氮化硼系统中,立方氮化硼（Cubic boron nitride,c-BN）是集众多优异的物理和化学特性于一身的超硬、宽带隙半导体材料。基于c-BN的......
通过工艺对比,考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用,并研究了薄膜的力学性能。结果表明B-C-N三元过渡层的添加有效......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型......
立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛......
较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 .用热丝增强射频等离子体CVD法 ,以NH3,B2 H6和H2 为反应气体 ,在Si,Ni,C......
