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在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入S i , 实现了n型原位掺杂.S i的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和S i浓度对于c -B N外延薄膜导电性能的影响.结果表明, 在4 2 0℃下掺杂得到的薄膜电阻率低于在更高温度下制得的薄膜的电阻率.电子输运性能对于温度的依赖性以及其相应的理论拟合的结果表明, S i掺杂薄膜的激活能大约是0. 3e V, 提高S