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超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质，在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p......
石英是自然界中最常见、色彩最丰富的矿物之一,当含杂质元素Ti、Al、Fe、Mn等时会产生不同的颜色,这与晶格的结构位点或间隙位置掺......
从晶圆到芯片的整个流程包含了许多步骤,其中,对晶圆的掺杂决定了半导体器件的用途和性能,这一步骤对于芯片的制造至关重要。掺杂......
第三代半导体材料氮化镓（GaN）,由于其具有宽禁带、高电子饱和速率等优越特性,是目前研究的热点材料。GaN基器件的应用和推广,有赖于G......
紫锂辉石（kunzite）属于锂辉石（spodumene）的粉色品种,深受宝石爱好者喜爱。因其在常光下呈粉色,经γ射线、阴极射线等高能源辐照后变成......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带（3.37eV）化合物半导体材料。具有较高的激子束缚能（室温下为60meV）和光增益系数320cm-1,是一种理想的短......
熔石英（非晶SiO2）硬度高,热膨胀系数低,耐高温,化学稳定性好,透紫外光和红外光。在惯性约束聚变（ICF）领域的大型高功率激光装置中,熔石......
激光器是20世纪最伟大的发明之一,具有发射出的激光质量纯净、光谱稳定、方向准直、能量密度大的优异特点。光流控技术在微流控系......
本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究.确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.......
离子束生物技术是一种新型的诱变技术,它是通过将低能重离子注入生物体内,来研究其生物学效应和作用机理,并将它用于遗传育种和基......
为了兼顾叉指背接触(IBC)太阳电池背表面场(BSF)区域的钝化性能和接触性能,在现有IBC太阳电池制备工艺基础上引入离子注入技术,对......
离子注入是材料表面改性的一种重要手段,可以通过改变材料表面化学成分和组织结构来改变其化学、物理以及力学性能.对316L不锈钢进......
离子注入作为一种独特的材料改性技术手段被广泛应用于当今的工业生产和科学研究领域,根据各种不同目的所进行的元素掺杂和注入处......
氧化锌（ZnO）是一种常见的II-VI族直接带隙半导体,禁带宽度为3.4eV,激子束缚能为60meV,在短波光电器件方面有很大的应用前景。ZnO本身......
钛基合金作为现代医学骨科中的理想固定材料,其生物相容性和耐腐性强,已成为骨科临床上替代硬组织的重要材料之一.本文综述了医用......
采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用.文章主要探讨相同注入剂量,不同......
光波导是引导光在其结构中传输的一种介质,也称做介质光波导。根据不同界面间的折射率不同会发生全反射这一原理,光波导把光限制在......
随着船舶及海洋工业的发展,大型船舶等海洋运输平台对传动系统的性能要求愈发严苛,齿轮作为船舶传动系统的关键部件,其表面强化层......
十字轴是联结火箭箭体与发动机的传力组件,控制火箭在空中的飞行姿态,其常用材料是TC4钛合金和M50钢。由于钛合金摩擦磨损性能差,......
氢能源由于清洁、可再生、能量密度大、反应产物无污染等优点,被认为是取代化石能源的理想能量载体。而利用太阳能生产氢能源为进......
深空探测和红外天文技术需要高性能的长波红外探测器,而我国在这方面相对落后。阻挡杂质带（Blocked Impurity Band,BIB）探测器具有响......
科技发展的本质是人类不断探索和认识世界的过程。红外天文探测器是人类探索外太空世界的有力工具,其重要性不言而喻。阻挡杂质带（B......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的半导体材料,在室温下的带隙约为3.3 eV,激子束缚能高达60meV。ZnO具有良好的光电性、透明导电性、气......
国内汽车和家电行业的快速发展对优质冷轧板的需求剧增,对钢板表面质量的要求也越来越高。轧辊作为轧机核心部件,其性能对轧制产品......
随着科学技术的不断进步,微光夜视器件逐渐向数字化方向发展。电子轰击CMOS（EBCMOS）作为一种新型的数字化微光夜视成像器件,它具有设......
为研究N+离子注入黑花生对Oligomeric Proaflth Cyaflidin(OPC)清除氧自由基能力的影响,将不同能量剂量组合的N+离子注入黑花生,种......
渗碳技术是在改善齿轮和轴承等部件表面硬度、耐磨性和疲劳性能中应用最为广泛且效果良好的表面强化技术之一,其强化过程需在高温......
采用SIMS、XPS和IRRS等多种分析方法研究了经离子注入的BiSrCaCuO玻璃的表面组成和结构,根据注入离子在样品中的分布、所处的价态......
本文通过讨论注入离子在基体材料表层内与表层原子的作用过程,分析了离子注入表面强化的机理,从而使基体材料表层强化,达到改变材......
国际热核聚变堆计划采用氘氚聚变能解决未来人类能源问题,其中的氚燃料自持是聚变堆核心问题之一。聚变堆所需的燃料氚是由高能中......
离子注入是近些年来新兴的一种诱变育种技术.2001 年广昌县白莲科学研究所以太空莲1 号、太空莲2号、太空莲3 号种子为诱变源,采用......
采用等离子体浸没离子注入技术(PⅢ),用乙炔对医用聚氨酯材料进行表面改性,对改性后材料表面的X光电子能谱(XPS)、衰减全反射红外......
离子注入是一种有效的表面优化方法.但由于离子行走轨迹的"视线性",它的应用在一定程度上受到了限制,尤其对于大面积注入和非规......
报道了Ｍ〈，２〉型高速工具钢在Ｃｕ、Ａｌ离子注入后表面硬度及抗磨损性的变化。对注入样品进行了显微硬度及抗磨损性的测量和ＸＲＤ与ＲＢＳ分析，观察了表面......
镍基合金Inconel718具有优良的高温、低温强度,广泛应用于航空、航天等高温、低温环境.某些Inconel718零部件使用过程中,容易与对......
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介绍了试验流程晶格损伤表征J0e,VASE,Raman硼硅团簇模拟高温退火对衬底材料的影响总结，优点:简化工艺流程,降低成本.可实现更精确......
应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采......
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Cu,Ag离子以不同的剂量比在室温条件下注入到高纯非晶二氧化硅玻璃,透射电镜明场像和相应的选区电子衍射花样证明了该样品中形成了......
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随着军用新材料向功能化、超高能化、复合轻量和智能化的方向发展，高性能及多功能的军用新材料对材料表面工程技术具有极大的需求。......
GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD......
本文将硅离子注入到热氧化生长的二氧化硅层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及......
利用氩离子注入技术改善单晶Si表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后,Si单晶在线性加载条件下的磨损机理.......
利用离子注入技术在TiO薄膜中注入P元素,然后分别在不同温度进行退火处理,得到一系列钛氧化物掺杂材料.随着退火温度的上升,P注入......
