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提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入, 引出衬底电荷, 以优化NLDMOS器件的击穿电压（Vb）与比导通电阻（Rsp）。选择不同的注入离子浓度与快速热退火时间, 研究了器件的Vb与Rsp变化。由于离子激活效率不足, 单纯增加20%的注入离子浓度, 器件的耐压性能提升极小, 采用增加20%注入离子浓度结合延长20s快速热退火时间的方法, NLDMOS器件的Vb提高约2.7%, 同时Rsp仅增加0.9%左右。