电离辐照相关论文
目的：运用蛋白质组学方法，研究川芎提取物对 60Coγ电离辐照损伤小鼠的保护作用机制。方法：将小鼠随机分为川芎提取物和辐照组（ioning ......
期刊
对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低......
本文以一种硼硅酸盐玻璃为研究对象，利用光学吸收和电子自旋共振(EPR)对该玻璃接受不同类型的电离辐照(10MeV质子、1.85MeV电子、60......
航天应用中的DC/DC转换器的可靠性受辐射影响极大,因此有必要在设计和制造过程中采取一定的辐射加固措施.本文介绍了国外航天DC/DC......
对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS......
采用电离辐照(γ射线辐照)及其与双氧水联用处理3种油田采出水:含聚污水、三元污水和压裂返排液,以实现同时杀菌降黏作用.单独采用......
目的探讨辐射损伤导致骨髓造血干/祖细胞(HSC/HPC)衰老的可能机制。方法雄性C57BL/6J小鼠随机分为辐照组和假辐照组,辐照组小鼠经6......
高分辨质谱法是一种鉴别不同介质中危害物的有效技术方法。本研究采用超高效液相色谱-串联飞行时间质谱法(UPLC-QToF/MS)法对工业P......
目的:研究冬虫夏草提取液（CSE）对60Coγ电离辐照小鼠脾脏与睾丸组织损伤的保护作用,并初步探讨其分子机制,为一种潜在的新型辐照治疗......
本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的......
高速数字电路的设计受到PCB基材特性的影响,分析辐照环境下PCB基材受到影响,根据辐照特性,定位研究重点在电离辐照累计剂量为辐照......
基于中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐......
本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析......
介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同退火偏置、不同退火温度条件下,运放整体性能电参数、电路内部单管特性及功能单元电......
对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究。结果......
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征。并通过对电路内部单管特性损伤......
对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ ＦＥＴ进行了瞬态Ｘ－ｒａｙ和低能强流电子束辐照实验，通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ ＦＥＴｓ的瞬态电离辐照效应，运用辐射......
该文研究了注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ的总剂量辐照响应特性和辐照后氧化物电荷、界面态变化与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注......
采取物理化学诱变因素能诱发植物基因的突变,促进遗传基因的重组,扩大遗传变异,是创造植物新种质、选育新品种的有效途径。以往物......
为了保证应用于航天器激光雷达的可靠性，必须对其进行辐射加固，电子元器件抗辐射筛选是其中的关键步骤。为了改进传统电参量检测分析......
随着航天技术的发展，航天器设计、应用环境等都有了很大变化，玻璃空间电离辐照着色损伤及抗辐照性能研究已成为航天工程中重要的材料......
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分......
期刊
实验室实验以１×１０９和１×１０１０中子／ｍ２的积分通量辐照罗非鱼种，其生长速率分别比对比组高４０％和３２％。中试实验以１×１０９中子／ｍ２的积分通量辐照罗非鱼......
1前言放射性同位素与电子加速器已广泛地应用于工业、农业、医疗卫生、科学研究、国防等领域,给人类带来了巨大的经济利益和社会效......
对PHEMT的电离辐照效应进行了研究，通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显．分析了PHEMT漏电......
目的研究冬虫夏草提取液(CSE)对辐照诱导小鼠睾丸组织损伤的保护机制。方法50只雄性C57BL/6小鼠随机分为5组:对照(Control)组、辐......
重离子束是一种新型辐照源，它对油菜的影响以往研究较少。本文报道了30Gy、50Gy和80Gy”C重离子束辐照对油菜M1和M2生育期、植物学......
采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电......
对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现......
分析了国产VDMOS（Vertical Double—diffusion MOSFET）总剂量试验数据，并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异，发现新工艺研......
描述了ONO反熔丝的物理结构，采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时，其内部电子一空穴的运动规律。分别对ONO反熔......
对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验.结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明......
应用大鼠半脑20 Gy照射模型和免疫组织化学方法,研究电离辐射对脑内S-100蛋白表达和变化的影响.于照射后不同时间点(24 h,1,2,3,4......
本文主要报道用低能(8keV)x射线代替钴-60γ射线进行电离辐照的试验结果,并讨论了剂量增强效应与栅氧化层厚度的关系以及相对二次......
本文报道了硅栅CMOS IC抗电离辐照加固工艺,尤其对γ电离辐照最敏感的栅氧化工艺作了详细的研究。在大量实验的基础上确定了优化的......
本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存......
采用Ｉ－Ｖ亚阈测量技术，分析了封闭栅和条形栅结构ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件的ｌｏｇＩ－Ｖ曲线亚阈斜率和阈电压的总剂量电离辐照特性，以及不同的辐照偏置条件对上述两个电......
为了寻求一种能最大限度保持苹果汁品质又能有效降解有机磷农药残留的技术方法，该文采用0～9kGy的^60Co-γ射线辐照方法，对苹果汁中国......
综合介绍了电离辐照技术在PTFE改性产品开发中的应用情况,并简要介绍该技术在PTFE改性中应用的最新进展.......
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成......
针对电荷耦合器件（CCD）在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响，对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先，通过开展......
在不同注F剂量条件下，对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照内应进行了研究．分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照......
探讨了加固型ＣＣ４００７经＾６０Ｃｏγ射线辐照后ＮＭＯＳ晶体管的退火特性，研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总......
介绍了CMOS运算放大器经60Co γ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤......
本文针对NPN双极性晶体管，在研究辐照感生的氧化层电荷及界面态对晶体管基极电流和1/f噪声的影响的基础上，建立辐照感生氧化层电荷及......
研究CCD受到射线辐照后的电离辐照效应或者损伤机制,对于在辐射场环境下如何正确应用CCD开展科学研究具有重要的意义。针对面阵CCD......
