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DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baby_xiaojuan

【摘 要】

：

提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型.基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势;求解泊松方程,由此给出DMOS辐

【作 者】

：

李泽宏 张波 李肇基 曹亮 

【机 构】

：

电子科技大学

【出 处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

DMOS 电离辐照 正空间电荷 阈值电压 场效应晶体管 Double-diffusion MOSFET Ionizing radiation Positive 

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提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型.基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势;求解泊松方程,由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式.该模型的解析解与MEDICI仿真的数值解吻合.

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