Si3N4／SiO2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Ar_meng

【摘要】

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采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐

【作者】

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范隆郝跃严荣良陆妩

【机构】

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西安电子科技大学,西安电子科技大学,中国科学院新疆物理研究所

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

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Si3N4/SiO2复合栅介质电离辐照 X光激发电子能谱氢离子刻蚀 Si过渡态 Electric properties Electron irradiati

【基金项目】

：

国家部委预研项目

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采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区S

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