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分析了国产VDMOS（Vertical Double—diffusion MOSFET）总剂量试验数据，并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异，发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压。根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法：击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置，阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置。