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制造高密度集成电路的关键之一是通过金属条的夹层介质台阶的形貌。因底层结构或通过腐蚀引起的这些台阶应逐渐倾斜以保证其后沉......
对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究。结果......
IC半导体制造工艺中,连接金属与器件之间的介质层一般采用BPSG(掺杂硼磷硅化玻璃)和PETEOS(二氧化硅)作为绝缘层.钨用来作为金属层......
本文首先介绍了VDMOS场效应晶体管的生产工艺流程，然后针对本次系列产品的工艺难点进行了栅介质工艺研究、栅源隔离介质研究以及钝......
动态随机存取记忆体(DRAM)作为所有计算机内最主要的读写元件,是存储器元件中的重要分子。DRAM的元件设计在市场激烈竞争之下正快......
随着动态随机存储器(简称DRAM)设计水平的不断发展,器件的尺寸越来越小,这对半导体制造技术不断提出新的挑战。到深亚微米级尺寸以......
