热氮化相关论文
超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出......
<正>离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS......
研究了采用ＮＯ快速热氮ＳｉＯ２ 方法制备超薄栅介质并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄 ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。......
研究不同类型，不同沟道长的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿......
在Ｓｉ衬底表面，利用高温氧化获得了厚度小于１０ｎｍ的ＳｉＯ２超薄层，经过进一步的快速热氮化制备出氮化ＳｉＯ２超薄膜。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和表面荷电能谱（ＳＣＳ）的测试分......
本文介绍了尼科里安-科兹伯格（Nicollian-Goetzberger）电导技术及其基本原理,建立了采用双相锁相放大器的测试系统,利用它测量了常规......
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN......
对于快速热氮化（ＲＴＮ）的ＳｉＯｘＮｙ薄膜（ＲＴＮＦ），本文不仅采用Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试研究了它的电荷特性，而且还借用椭圆偏振谱技术和俄歇电子能谱分析研究了它的光学性......
将热生长的超薄（４－２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速工艺系统中，用快速热氮化工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究......
本文提出的用 O2/N2进行中间氧化（退火）的两步热氮化工艺,能将 SiOxNy-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比......
用卤素钨灯作辐射热源，对超薄ＳｉＯ２进行快速热氮化（ＲＴＮ）制备了ＳｉＯｘＮｙ膜，研究了不同ＲＴＮ条件下制备的ＳｉＯｘＮｙ样品的ＡＥＳ测量的氮纵向分布。研究结果表明，在较低的温度下......
应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜......
本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO2膜和氮化后再氧化SiO2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电......
本文研究了雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_zN_y膜体内电子陷阱和界面陷阱的影响.结果表明:快速热氮化的SiO_xN_y膜存在着不同类......
本文提出了采用高频C-V仪测量快速热氮化的SiO_xN_y膜中固定电荷密度、可动离子密度的实验中不容忽略的两个问题:记录仪信号转换不......
重点分析了硅基ＳｉＯＮ光波导的工艺制作途径及其有关性能。根据有关实验结果，讨论了工艺中存在的问题，最后给出了它的应用。......
