掺杂技术相关论文
本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善.实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.......
毒品滥用严重危害着人类身心健康,并引发一系列社会安全问题,已成为一个全球共同关注的话题,毒品的快速、高灵敏现场检测对禁毒、......
钍钨材料具有放射性,环保型的多元复合稀土钨材是替代钍钨的绝佳材料,通过多年研究我国已掌握其产业化关键技术,通过多元复合稀土......
论述了抗电磁干扰NiZn材料、低温烧结NiCuZn材料、高磁导率NiCuZn材料的最新掺杂技术研究及进展状况.......
太平洋石英制品有限公司利用掺杂技术，成功开发出低熔点滤紫外石英玻璃管、低熔点石英棒、低熔点透明石英管等产品，这些产品耐温程度......
采用直拉法生长普通和掺氦硅单晶，研究两种晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从两种晶体相同位置取样，并对晶体进行1100℃湿氧氧化实......
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没......
本文中，首先描述一种基于MBE的高质量工，InAs/GaAs量了点制备技术。研究发现，在量子点形成的某个特定阶段引入Si掺杂可以大幅提高InAs......
介绍了一种μi=10000的高磁导率低损耗MnZn铁氧体TH10材料的性能特点及其烧结、掺杂技术，低功率信号传输变压器(如：ADSL transformer......
Tandem white organic light-emitting diodes(WOLEDs) are of great research interest since they can greatly boost the perfo......
本文介绍了准分子激光切割金刚石薄膜的实验结果，给出了切割金刚石薄膜的光能量密度阀值，并对其结果进行了分析和讨论。
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本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双......
剑桥大学开发薄膜碳晶体管技术据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔ’ｌ１９９６年第６期报道，英国剑桥大学已与文莱的一个研究小组合作开发薄膜碳晶体管工艺技术。该技术将实现在......
针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项......
综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２，均......
ＵｌｔｒａｔｃｈＳｔｅｐｐｅｒ等三家公司共同开发出了采用激光掺杂形成浅结和 0 1 8μｍ工艺退火相结合的混合光刻技术。在该技术中 ,不需要抗蚀剂而采用了分步......
为了获得高质量 4 H- Si C外延材料 ,研制出一套水平式低压热壁 CVD(L P- HWCVD)生长系统 ,在偏晶向的4 H- Si C Si(0 0 0 1)晶面......
Novaled AG(德国,德累斯顿)通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯(Pentacene)半导体电层的p型和n型场......
依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次......
采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可......
介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用......
本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enha......
中波红外激光器在痕迹量气体检测、激发惰性气体产生软硬X射线辐射、激光定向干扰等方面具有重要应用价值。华北光电技术研究所采......
MCVD工艺和溶液掺杂技术是制备掺铒石英光纤的重要手段,引入Al_2O_3可以改善光纤的光学特性,光纤放大器的实验结果表明:在514.5和5......
ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制......
美国休斯研究实验室首次在采用离子注入作为掺杂技术制作的砷化镓二极管上获得激光作用。该实验室研究人员把这一进展视为在半导......
本文推荐一种使用光刻形成图形的无机光致抗蚀剂作为扩散源的新掺杂技术。所用的这种抗蚀剂膜是由Se-Ge为基体用施主或受主杂质作......
近几年来,随着微细加工技术的迅速发展,不仅要求图形线条加工宽度进入亚微米量级,而且要求外延生长膜层厚度方向实现亚微米以下的......
美帝国际商业机器公司,在掺金双圾晶体管的制作方面,由于采用砷代替过去使用的磷杂质,因而不仅提高了载止频率,而且也提高了成品......
半导体所使用的掺杂剂在固相、液相和气相等所有物相中是比较丰富的;所用的特殊的掺杂剂类型取决于设备、有利条件和安全系数。
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自对准FET(Self-Aligned FET) 作为超过Si的下一代超高速集成电路的关键器件,GaAsMESFET是很有希望的。为了提高其高速性能,还需......
本文用双室Ga/AsCl_3/H_2开管系统实现了各种等电子掺杂浓度的GaAs汽相外延,并首次对此进行了较为详细的动力学理论和实验研究。对......
本文在水平生长 GaAs 单晶中首次应用了等电子掺杂技术,在制备大截面晶体进一步降低位错密度方面取得了显著效果。研制的 HB-12型......
Ⅰ引言交流薄膜电致发光(ACTFEL)是一种极富生命力的显示技术,这一点在许多实验室已得到证明.ZnS:Mn 薄膜的后沉积热处理技术也得......
本文介绍用激光掺杂技术在高阻硅中掺入杂质来制造核辐射结型探测器的方法。测试结果表明,所制作的这种探测器性能良好稳定,一致性......
美国TI公司采用双异质结P-HEMT开发了一种高效率的MMIC单级放大器,在16GHz下,增益为4.5dB,功率附加效率为30.8％,CW输出功率达7W。......
PSG膜是最早应用于半导体器件的表面钝化技术,随着电子工业的发展,逐渐应用于掺杂技术和表面平坦化技术,本文对这三方面的应用作简......
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨......
据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本三洋电机公司在世界上率先开发新的杂质扩散技术,即在GaAs为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上,......
给出了δ掺杂的半导体定义,论述了这种掺杂的特点、方法、材料的能带结构及影响δ掺杂分布宽度的因素,同时介绍了在此技术基础上改......
一年以前,一批新的激光系统才刚刚进入集成电路的制造领域。激光在今后的芯片制造中应用前景现在已经明朗化。更进一步的深入应用......
