激光掺杂相关论文
选择目前市场主流的M10单晶PERC作为研究对象,就PERC生产技术中较为通用的SE掺杂技术进行分析。通过调整SE掺杂技术中的激光划线速......
SE激光选择性电极在制程中易对电池电极重掺区造成表面损伤,为防止后续工艺对其造成进一步的腐蚀,在硅表沉积一层氧化膜来达到保护效......
为进一步提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用激光掺杂方式形成选择性背表面场结构,研究了磷扩散和激光掺杂工艺对IBC......
在选择性发射极(SE)技术与钝化发射极背接触(PERC)技术相结合(即“SE+PERC”)的单晶硅太阳电池技术路线中,通常采用激光技术进行局部重掺......
激光与选择性发射极,激光磷掺杂,以PSG作为掺杂源,激光磷掺杂在不改变表面绒面结构的同时可以实现重掺,通过附加SE工艺,可以将PERC......
激光技术可以在太阳电池制造过程中发挥独特的作用。本文首先分析了激光与硅片表面相互作用的特点与规律,将激光在太阳电池制造工......
本文介绍用激光掺杂技术在高阻硅中掺入杂质来制造核辐射结型探测器的方法。测试结果表明,所制作的这种探测器性能良好稳定,一致性......
研究整形激光掺杂制备选择性发射极(SE)对p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池的表面金字塔形貌、掺杂分布及电池性能的......
本文将研究激光掺杂技术与电镀技术相结合的方法制作晶体硅太阳能电池的栅线。实验采用P型156mm×156mm±0.5mm多晶硅片作为硅衬底......
目前,光伏发电是解决能源危机的有效途径之一。在过去的几十年里晶体硅太阳电池发展迅速,在太阳电池产业中一直占据主导地位。太阳电......
激光掺杂选择性发射极技术是提高太阳电池转换效率的重要方法之一,本文从理论出发建立了扩散模型和激光掺杂模型,进行了激光掺杂实......
综述了激光热效应在高效太阳电池制造中的应用,如激光掺杂和激光烧结工艺;介绍了这两种工艺的具体典型实例:激光掺杂有选择性发射结太......
由干燥激光做的水晶的硅太阳能电池的表电阻的计算、试验性的研究被调查。激光由干燥激光做融化水晶的硅和磷原子的液体阶段散开上......
激光掺杂制作选择性发射极技术提供了一种简单、可行的选择性结构。PSG层覆盖在发射极顶部,这层PSG是在炉管扩散时形成的。在激光......
用脉冲高能红外激光(波长10.6μm),在N型和P型单晶硅中分别掺入铝和锑,制备了最大面积可达φ20mm的p-n结.激光掺杂存在一个阈值能......
综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术,不能适应纳米......
激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激光......
通过深入地分析影响金属-半导体肖特基势垒的各种因素,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径,其中,特别是通过汽相激光诱导化学掺杂技术......
研究了多晶硅片扩散工艺与激光掺杂工艺的匹配性.采用波长532nm的纳秒脉冲激光器对扩散后未去磷硅玻璃的多晶硅片表面进行激光扫描......
简要概述了激光在半导体技术中的主要应用。这些应用大致涵盖激光掺杂、激光退火、激光沉积薄膜、激光引发固相反应和激光光刻等几......
近年来晶体硅太阳电池PERC技术已经全面推广,在此基础上的选择性发射极(selective emiter,SE)激光掺杂技术也逐渐趋于成熟,已实现......
在现阶段主流太阳电池生产设备的水平条件下,研究了激光频率、初始方块电阻和烧结峰值温度对基于激光掺杂的选择性发射极(SE)+PERC......
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基于PERC(Passivated emitter and rear cell)电池的工艺基础,进行了激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的研究。以现有的PER......
通过深入地分析影响金属 -半导体肖特基势垒的各种因素 ,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径 ,其中 ,特别是通过汽相激光诱导化学......
通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,PECVD沉积掺硼氧化硅结合激光掺杂形成局部背场,依次经过背面溅射铝、低温烧结形成背面......
自上世纪70年代大功率激光器件诞生以来,已形成了激光焊接、激光切割、激光打孔、激光表面处理、激光合金化、激光熔覆、激光快速......